PATRICK FIORENZA
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- PATRICK FIORENZA (Persona)
- Persona in rapporto
- Rapporto con CNR di DOTT. PATRICK FIORENZA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- A look underneath the SiO2/4H-SiC interface after N2O thermal treatments (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Impact of substrate steps and of monolayer-bilayer junctions on the electronic transport in epitaxial graphene on 4H-SiC (0001) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Electrical properties of CeO2 thin films deposited on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Effects of high temperature annealing on MOCVD grown CaCu3Ti4O12 films on LaAlO3 substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Large area silicon carbide substrates and heteroepitaxial GaN for power devices applications (LAST - POWER) (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Metal Organic Chemical Vapor Deposition of nickel oxide thin films for wide band gap device technology (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- 3C-SiC heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Annealing behavior of Ta-based contacts on AlGaN/GAN heterostructures (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Nanoscale characterization of SiC interfaces and devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition of hafnium oxide on semiconductor substrates (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Scanning probe microscopy investigation of the mechanisms limiting electronic transport in substrate-supported graphene (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- From micro- to nanotransport properties in Pr2O3-based thin layers (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Effects of deposition temperature on the microstructural and electrical properties of praseodymium oxide-based films (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Fowler-Nordheim tunneling at SiO2/4H-SiC interfaces in metal-oxide-semiconductor field effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Potentialities of nickel oxide as dielectric for GaN and SiC devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- CaCu3TiO12 thin films on conductive oxide electrode: a comparative study between chemical and physical vapor deposition routes (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Binary and complex oxide thin films for microelectronic applications: An insight into their growth and advanced nanoscopic investigation (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale Probing of Interfaces in GaN for Devices Applications (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Poole-Frenkel emission in epitaxial nickel oxide on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- High permittivity cerium oxide thin films on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- On the \"Step Bunching\" Phenomena Observed on Etched and Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Colossal permittivity in advanced functional heterogeneous materials: the relevance of the local measurements at submicron scale (Contributo in volume (capitolo o saggio)) (Prodotto della ricerca)
- Challenges for energy efficient wide band gap semiconductors power devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Non-stoichiometry in ''CaCu3Ti4O12'' (CCTO) ceramics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Progetto Nazionale PON - Ambition Power (PON01_00700) (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Theoretical monte carlo study of the formation and evolution of defects in the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Study of the effects of growth rate, miscut direction and postgrowth argon annealing on the surface morphology of homoepitaxially grown 4H silicon carbide films (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale electrical and structural modification induced by rapid thermal oxidation of AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Micro and nanoscale electrical characterization of large-area graphene transferred to functional substrates (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Conduction mechanisms in epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructure (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale electrical probing of heterogeneous ceramics: the case of giant permittivity calcium copper titanate (CaCu3Ti4O12) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- RAFFAELLA LO NIGRO (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale interno)
- GIUSEPPE ALESSIO MARIA D'ARRIGO (Unità di personale interno)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
- ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)
- CRISTINA TUDISCO (Persona)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- SILVIA SCALESE (Persona)
- SALVATORE LOMBARDO (Unità di personale interno)
- FRANCESCO LA VIA (Unità di personale interno)
- NICOLO' PILUSO (Persona)
- MARILENA VIVONA (Unità di personale esterno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- ANTONIO DAMASO MARIA MARINO (Persona)
- VITO RAINERI (Persona)
- Gabriele Fisichella (Persona)
- ALESSANDRA ALBERTI (Persona)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Unità di personale esterno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- MASSIMO CAMARDA (Unità di personale esterno)
- IOANNIS DERETZIS (Unità di personale interno)
- STEFANIA MARIA SERENA PRIVITERA (Persona)
- Nome
- PATRICK (literal)
- Cognome
- FIORENZA (literal)
- Afferisce a
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- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Persona)
- ANTONINO LA MAGNA (Persona)
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- CRISTINA TUDISCO (Persona)
- Ha afferente
- Rapporto con persona
- Rapporto con CNR di DOTT. PATRICK FIORENZA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
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- Epitaxial NiO gate dielectric on AlGaN/GaN heterostructures (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Correlating macroscopic and nanoscale electrical modifications of SiO2/4H-SiC interfaces upon post-oxidation-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of the surface morphology on the channel mobility of lateral implanted 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- 3C-SiC heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the silicon precursor (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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- Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Non-stoichiometry in ''CaCu3Ti4O12'' (CCTO) ceramics (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
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- Nanoscale electrical probing of heterogeneous ceramics: the case of giant permittivity calcium copper titanate (CaCu3Ti4O12) (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Theoretical monte carlo study of the formation and evolution of defects in the homoepitaxial growth of SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
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