RAFFAELE SCABURRI

Type

• Persona (Classe)

Label

• RAFFAELE SCABURRI (literal)
• RAFFAELE SCABURRI (literal)

Partecipa a commessa

• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2011 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2010 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)

Persona in rapporto

• Rapporto con CNR di RAFFAELE SCABURRI (Rapporto con CNR)

Autore CNR di

• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Aluminum Doped 4H-SiC: A comprehensive sudy (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
• Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)

Coautore

• AGOSTINO DESALVO (Persona)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Nome

• RAFFAELE (literal)

Cognome

• SCABURRI (literal)

Afferisce a

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Incoming links:

Ha afferente

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Coautore

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• AGOSTINO DESALVO (Persona)

Partecipazione di

• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2010 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2011 (Partecipazione a commessa)
• Partecipazione a Commessa "Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze" (MD.P05.004) di RAFFAELE SCABURRI nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)

Rapporto con persona

• Rapporto con CNR di RAFFAELE SCABURRI (Rapporto con CNR)

Autore CNR

• Simulation of the incomplete ionization of the n-type dopant Phosphorus in 4H-SiC, including screening by free carriers (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
• Conventional thermal annealing for a more efficient p-type doping of Al+ implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Aluminum Doped 4H-SiC: A comprehensive sudy (Abstract/Poster in convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1304)
• Simulation of the Temperature Dependence of Hall Carriers in Al Doped 4H-SiC (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)