MARILENA VIVONA
- Type
- Persona (Classe)
- Label
- MARILENA VIVONA (literal)
- MARILENA VIVONA (literal)
- Partecipa a commessa
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2014 (Partecipazione a commessa)
- Persona in rapporto
- Employment relationship with CNR of MARILENA VIVONA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR di
- Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Coautore
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Persona)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- Nome
- MARILENA (literal)
- Cognome
- VIVONA (literal)
- Afferisce a
Incoming links:
- Coautore
- FABRIZIO ROCCAFORTE (Unità di personale interno)
- ANTONINO LA MAGNA (Unità di personale interno)
- FILIPPO GIANNAZZO (Persona)
- RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
- CORRADO BONGIORNO (Persona)
- SALVATORE DI FRANCO (Persona)
- GIUSEPPE GRECO (Persona)
- PATRICK FIORENZA (Persona)
- Ha afferente
- Partecipazione di
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2013 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2012 (Partecipazione a commessa)
- Partecipazione a Commessa "Dispositivi di potenza, Rf e componenti passivi per elettronica integrata ad alte prestazioni" (MD.P05.003) di MARILENA VIVONA nell'anno 2014 (Partecipazione a commessa)
- Rapporto con persona
- Employment relationship with CNR of MARILENA VIVONA (Rapporto con CNR)
- Autore CNR
- Training NETwork on Functional Interfaces for SiC - NetFISiC (Progetti) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1725)
- SiO2/4H-SiC interface doping during post-deposition-annealing of the oxide in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Influence of processing conditions on the behaviour of 4H-SiC MOSFETs (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Comparative study of gate oxide in 4H-SiC lateral MOSFETs subjected to post-deposition-annealing in N2O and POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Characterization of SiO2/SiC interfaces annealed in N2O or POCl3 (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Processing Issues for Reliable 4H-SiC MOSFET (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale characterization of interfaces at gate dielectrics on compound semiconductors (Contributo in atti di convegno) (Prodotto della ricerca)
- Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Nanoscale reliability aspects of insulator onto wide band gap compounds (Contributo in atti di convegno) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1301)
- Recent advances on dielectrics technology for SiC and GaN power devices (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3 (Articolo in rivista) (Prodotto della ricerca)
- Thermal stability of the current transport mechanisms in Ni-based Ohmic contacts on n- and p-implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Ge Mediated Surface Preparation for Twin Free 3C-SiC Nucleation and Growth on Low Off-Axis 4H-SiC Substrate (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Comparative study of the current transport mechanisms in Ni2Si Ohmic contacts on n- and p-type implanted 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
- Electrical characteristics of Schottky contacts on Ge-doped 4H-SiC (Articolo in rivista) (http://www.cnr.it/ontology/cnr/individuo/prodotto/TIPO1101)
