Modeling of hydrogen diffusion and segregation in amorphous silicon during solid phase epitaxy (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Modeling of hydrogen diffusion and segregation in amorphous silicon during solid phase epitaxy (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Johnson BC, Mastromatteo M, De Salvador D, Napolitani E, Carnera A, McCallum JC (2010)
  Modeling of hydrogen diffusion and segregation in amorphous silicon during solid phase epitaxy
  in 218th ECS Meeting, High Purity Silicon 11, Las Vegas (USA)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Johnson BC, Mastromatteo M, De Salvador D, Napolitani E, Carnera A, McCallum JC (literal)

Titolo

• Modeling of hydrogen diffusion and segregation in amorphous silicon during solid phase epitaxy (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Autore CNR

• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Autore CNR di

• ENRICO NAPOLITANI (Unità di personale interno)