Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Marcelli R, Lucibello A, De Angelis G, Proietti E and Comastri D (2009)
  Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches
  in Symposium on Design, Test, Integration & Packaging of MEMS/MOEMS, DTIP 2009, Roma, 1-3 April 2009
  (literal)

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• Marcelli R, Lucibello A, De Angelis G, Proietti E and Comastri D (literal)

Pagina inizio

• 19 (literal)

Pagina fine

• 22 (literal)

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• http://www.eda-publishing.org/dtip09_proceedings.pdf (literal)

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• Proceedings of the Symposium on Design, Test, Integration & Packaging of MEMS/MOEMS, DTIP 2009, 1-3 April 2009, Roma, Italy (literal)

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• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMM Roma Università di Roma \"Tor Vergata\" (literal)

Titolo

• Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-2-35500-009-6 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autoriVolume

• AA.VV. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Editors: Tarik BOUROUINA, Bernard COURTOIS, Reza GHODSSI, Jean Michel KARAM, Aurelio SOMA, Hsiharng YANG (literal)

Abstract

• he mechanical response of a RF MEMS shunt connected switch in coplanar waveguide configuration has been studied by using both an analytical approach based on unidimensional equations and FEM simulations. The analytical model has been developed for predicting the dynamics of the device, especially concerning its re-configuration time and the energy balance involved in the actuation and in the de-actuation mechanisms. The analytical evaluation was based on a MATHCAD program. After that, 2D and 3D simulations have been performed to get the deformed shape of the bridge, depending on the central and lateral actuation of the suspended beam. Theoretical and experimental results about the threshold voltage confirm the validity of the proposed modeling. (literal)

Editore

• EDA Publishing Association (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi ad Alta Frequenza: Tecnologie ed Affidabilità per Applicazioni di Terra e Spaziali (MD.P05.020.001) (Modulo)

Autore CNR

• EMANUELA PROIETTI (Persona)
• ANDREA LUCIBELLO (Unità di personale interno)
• ROMOLO MARCELLI (Persona)
• GIORGIO DE ANGELIS (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ROMOLO MARCELLI (Persona)
• EMANUELA PROIETTI (Persona)
• GIORGIO DE ANGELIS (Persona)
• ANDREA LUCIBELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi ad Alta Frequenza: Tecnologie ed Affidabilità per Applicazioni di Terra e Spaziali (MD.P05.020.001) (Modulo)

Editore di

• EDA Publishing Association (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Mechanical Modelling of Capacitive RF MEMS Shunt Switches" (Insieme di parole chiave)