Growth of InN on 6H-SiC by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Growth of InN on 6H-SiC by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A.S. Brown, Tong-Ho Kim, Soojeong Choi, Pae Wu, Michael Morse, Maria Losurdo, Maria M Giangregorio, Giovanni Bruno, Akihiro Moto (2005)
  Growth of InN on 6H-SiC by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy
  in . Nitride Semic, Bremen
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A.S. Brown, Tong-Ho Kim, Soojeong Choi, Pae Wu, Michael Morse, Maria Losurdo, Maria M Giangregorio, Giovanni Bruno, Akihiro Moto (literal)

Titolo

• Growth of InN on 6H-SiC by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy (literal)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)