Buffer Free MOCVD Growth of GaN on 4H-SiC: Effect of Substrate Treatments and UV-Photoirradiation (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Buffer Free MOCVD Growth of GaN on 4H-SiC: Effect of Substrate Treatments and UV-Photoirradiation (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Maria Losurdo, Maria M. Giangregorio, Giovanni Bruno, Tong-Ho Kim, Soojeong Choi (2005)
  Buffer Free MOCVD Growth of GaN on 4H-SiC: Effect of Substrate Treatments and UV-Photoirradiation
  in Nitride Semic, Bremen
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Maria Losurdo, Maria M. Giangregorio, Giovanni Bruno, Tong-Ho Kim, Soojeong Choi (literal)

Titolo

• Buffer Free MOCVD Growth of GaN on 4H-SiC: Effect of Substrate Treatments and UV-Photoirradiation (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)