TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers (Contributo in atti di convegno)

Type

• Contributo in atti di convegno (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Pelosi C., Bosi M., Attolini G., Germini F., Frigeri C., Prutskij T. (2007)
  TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers
  in 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006, Vienna (Austria), July 24-28, 2006
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Pelosi C., Bosi M., Attolini G., Germini F., Frigeri C., Prutskij T. (literal)

Pagina inizio

• 29 (literal)

Pagina fine

• 30 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#titoloVolume

• AIP CONFERENCE PROCEEDINGS (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 893 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• AIP Conf. Proc., 893, 31 (2007) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 2 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 CNR-IMEM Institute, Parco Area delle Scienze 37a, Loc Fontanini 43010 Parma (Italy); 2 Instituto de Ciencias, BUAP, Privada 17 Norte, # 3417, colSanMiguel Hueyotlipan, 72050 Puebla, Pue., Mexico (literal)

Titolo

• TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#isbn

• 978-0-7354-0397-0 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#curatoriVolume

• Jantsch, W; Schaffler, F (literal)

Abstract

• The diffusion phenomena at interfaces between GaAs/InGaP layers grown by low pressure MOVPE have been studied by dark field (DF) transmission Electron Microscopy (TEM) and High resolution X-ray Diffractometry (HRXRD). By comparing the results of the two techniques a mismatched layer containing P or P and In has been evidenced. The causes of this behavior are briefly discussed. (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• CLAUDIO PELOSI (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• CLAUDIO PELOSI (Persona)
• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "TEM and HRXRD analysis of LP MOVPE grown InGaP/GaAs epilayers" (Insieme di parole chiave)