Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect (Contributo in atti di convegno)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Contributo in atti di convegno (Classe)

Label

• Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect (Contributo in atti di convegno) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1557/PROC-0994-F02-08 (literal)

Alternative label

• Trotta R., Polimeni A. , Felici M., Pettinari G., Capizzi M., Frova A., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Mariucci L., Bais G., Martelli F., Rubini S. (2007)
  Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect
  in 2007 MRS Spring Meeting - Symposium F, San Francisco, USA
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Trotta R., Polimeni A. , Felici M., Pettinari G., Capizzi M., Frova A., Salviati G., Lazzarini L., Armani N., Mariucci L., Bais G., Martelli F., Rubini S. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://journals.cambridge.org/article_S1946427400035776 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#volumeInCollana

• 994 (literal)

Rivista

• MRS online Proceedings library (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In MRS Symposium Proceedings v. 994, F02-08 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Dipartimento di Fisica, Sapienza Universita' di Roma, P.le A. Moro 2, Roma, 00185, Italy IMEM-CNR, Parco Area delle Scienze 37/A, Localita' Fontanini, Parma, 43010, Italy IFN-CNR, Via Cineto Romano 42, Roma, 00156, Italy TASC INFM-CNR, Parco Area delle Scienze, Trieste, 34012, Italy (literal)

Titolo

• Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect (literal)

Abstract

• The capability of hydrogen to passivate nitrogen in dilute nitrides is exploited to in-plane engineer the electronic properties of Ga(AsN)/GaAs heterostructures. Two methods are presented: i) by deposition of hydrogen-opaque metallic masks on Ga(AsN) and subsequent hydrogen irradiation, we artificially create zones of the crystal having the band gap of untreated Ga(AsN) surrounded by GaAs-like barriers; ii) by employing an intense (~100 nA) and narrow (~100 nm) beam of electrons, we dissociate the complexes formed by N and H in a spatially delimited part of a hydrogenated Ga(AsN) sample. As a consequence, in the spatial regions irradiated by the electron beam, hydrogenated Ga(AsN) recovers the smaller energy gap it had before hydrogen implantation. (literal)

Editore

• Materials Research Society (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• LAURA LAZZARINI (Unità di personale interno)
• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• NICOLA ARMANI (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)

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• MRS online Proceedings library (Rivista)

Editore di

• Materials Research Society (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Hydrogen-induced Nitrogen Passivation in Dilute Nitrides: A Novel Approach to Defect" (Insieme di parole chiave)