Evidences of F-induced nanobubbles as sink for self-interstitials in Si (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Evidences of F-induced nanobubbles as sink for self-interstitials in Si (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2364271 (literal)

Alternative label

• Boninelli, S; Claverie, A; Impellizzeri, G; Mirabella, S; Priolo, F; Napolitani, E; Cristiano, F (2006)
  Evidences of F-induced nanobubbles as sink for self-interstitials in Si
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Boninelli, S; Claverie, A; Impellizzeri, G; Mirabella, S; Priolo, F; Napolitani, E; Cristiano, F (literal)

Pagina inizio

• 171916 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNRS, CEMES, F-31055 Toulouse, France; Univ Catania, MATIS, CNR, INFM, I-95123 Catania, Italy; Univ Catania, Dipartimento Fis Astron, I-95123 Catania, Italy; Univ Padua, MATIS, CNR, INFM, I-35131 Padua, Italy; Univ Padua, Dipartimento Fis, I-35131 Padua, Italy; CNRS, LAAS, F-31077 Toulouse, France (literal)

Titolo

• Evidences of F-induced nanobubbles as sink for self-interstitials in Si (literal)

Abstract

• The beneficial effects of F implantation on the modification of extended defects in Si have been studied. Preamorphized Si samples were implanted with F (75 keV, 6x10(15) F/cm(2)) and regrown by solid phase epitaxy (SPE) at 700 degrees C. The formation, just after SPE, of a band of bubbles overlapping the F enriched region has been evidenced, clearly demonstrating the formation of F-vacancy (V) complexes with determined stoichiometry. Moreover, the authors demonstrate that these F-V complexes inhibit the formation of extended defects, acting as efficient traps for Si interstitials. These results represent a promising route toward point defects engineering in microelectronic application. (c) 2006 American Institute of Physics. (literal)

Prodotto di

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

Autore CNR

• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Evidences of F-induced nanobubbles as sink for self-interstitials in Si" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• FRANCESCO PRIOLO (Persona)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ENRICO NAPOLITANI (Persona)
• GIULIANA IMPELLIZZERI (Unità di personale interno)
• SIMONA MARIA CRISTINA BONINELLI (Persona)

Prodotto

• Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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