Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Fiorenza P, Lo Nigro R, Raineri V, Salinas S (2007)
  Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC
  
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fiorenza P, Lo Nigro R, Raineri V, Salinas S (literal)

Pagina inizio

• 501 (literal)

Pagina fine

• 504 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 557 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Catania STMicroelectronics Catania (literal)

Titolo

• Conductive Atomic Force Microscopy studies on the reliability of thermally oxidized SiO2/4H-SiC (literal)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)
• VITO RAINERI (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• PATRICK FIORENZA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)