Investigation of CdS/InP heterojunction prepared by chemical bath deposition (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Investigation of CdS/InP heterojunction prepared by chemical bath deposition (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/pssc.200674153 (literal)

Alternative label

• Rakovics V. 1, Horváth Zs. J. 1, Horváth Zs. E. 1, Bársony I. 1, Frigeri C. 2, Besagni T. 2 (2007)
  Investigation of CdS/InP heterojunction prepared by chemical bath deposition
  in Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews; WILEY-V C H VERLAG GMBH, WEINHEIM (Germania)
  (literal)

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• Rakovics V. 1, Horváth Zs. J. 1, Horváth Zs. E. 1, Bársony I. 1, Frigeri C. 2, Besagni T. 2 (literal)

Pagina inizio

• 1490 (literal)

Pagina fine

• 1493 (literal)

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• Conference: 8th International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies Location: Cadiz, SPAIN Date: MAY 14-17, 2006 (literal)

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• http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssc.200674153/abstract (literal)

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• 4 (literal)

Rivista

• Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews (Rivista)

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• 4 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)
• Scopus (literal)

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• 1 Hungarian Acad Sci, Res Inst Tech Phys & Mat Sci, H-1121 Budapest, Hungary; 2 IMEM-CNR, Parma, Italy (literal)

Titolo

• Investigation of CdS/InP heterojunction prepared by chemical bath deposition (literal)

Abstract

• CdS thin films have been deposited on InP and glass substrates using the chemical bath deposition technique. Baths containing CdSO4, thiourea, and NH3 were used. The temperature of the deposition process was 65 degrees C and the duration of deposition varied between 20 and 160 minutes. The properties of the CdS/InP heterojuntion were investigated by TEM, EDS and X-ray diffraction. TEM pictures, EDS and X-ray rocking curves indicate the formation of a beta-In2S3 transition layer at the InP-CdS interface, wich may reduce the lattice mismatch between InP and CdS. (literal)

Editore

• WILEY-V C H VERLAG GMBH (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)
• TULLO BESAGNI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Investigation of CdS/InP heterojunction prepared by chemical bath deposition" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• TULLO BESAGNI (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

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• Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews (Rivista)

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• WILEY-V C H VERLAG GMBH (Editore)

Insieme di parole chiave di

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