MOCVD film growth of Al2O3 inside hot wall tubular reactor (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• MOCVD film growth of Al2O3 inside hot wall tubular reactor (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• G.A. Battiston; R. Gerbasi; K.T. Raic (2004)
  MOCVD film growth of Al2O3 inside hot wall tubular reactor
  in Rudarstvo, geologija i metalurgija
  (literal)

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• G.A. Battiston; R. Gerbasi; K.T. Raic (literal)

Pagina inizio

• 283 (literal)

Pagina fine

• 287 (literal)

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• Association of Metallurgical Engineers of Serbia (literal)

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• http://www.metalurgija.org.rs/mjom/vol10/No%203/13KARLO.pdf (literal)

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• 10 (literal)

Rivista

• Rudarstvo, geologija i metalurgija (Rivista)

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• 3 (literal)

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• Istituto di Chimica Inorganica e delle Superfici del C.N.R., Corso Stati Uniti,Padova, Italy Istituto di Chimica Inorganica e delle Superfici del C.N.R., Corso Stati Uniti,Padova, Italy Faculty of Technology and Metallurgy, Belgrade University, Beograd, Serbia and Montenegro (literal)

Titolo

• MOCVD film growth of Al2O3 inside hot wall tubular reactor (literal)

Abstract

• The deposition kinetics for MOCVD film growth of Al2O3 was investigated in a range of common process parameters during laminar flow in horizontal hot wall tubular reactor. Particular attention was paid to the relationship between growth rate and reactor dimensions as well as process temperature. The development of the modeling procedure permitted to predict growth rates and precursor concentrations at different experimental conditions. (literal)

Prodotto di

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)
• Progettazione di Nuovi Precursori Molecolari per Nanosistemi e Ottimizzazione del Processo MOCVD per la Fabbricazione e/o Modifica delle Funzionalità delle Superfici (PM.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR

• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BATTISTON (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "MOCVD film growth of Al2O3 inside hot wall tubular reactor" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di chimica inorganica e delle superfici (ICIS) (Istituto)
• Progettazione di Nuovi Precursori Molecolari per Nanosistemi e Ottimizzazione del Processo MOCVD per la Fabbricazione e/o Modifica delle Funzionalità delle Superfici (PM.P05.001.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROSALBA GERBASI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BATTISTON (Unità di personale interno)

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• Rudarstvo, geologija i metalurgija (Rivista)

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