High dose P+ implanted 4H-SiC: miscrowave and conventional post implantation annealing at temperatures (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• High dose P+ implanted 4H-SiC: miscrowave and conventional post implantation annealing at temperatures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• A. Nath, M.V. Rao, A. Carnera, C. Albonetti, S.B. Qadri, Y.L. Tian, R. Nipoti (2011)
  High dose P+ implanted 4H-SiC: miscrowave and conventional post implantation annealing at temperatures
  in Journal of electronic materials
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• A. Nath, M.V. Rao, A. Carnera, C. Albonetti, S.B. Qadri, Y.L. Tian, R. Nipoti (literal)

Rivista

• Journal of electronic materials (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Titolo

• High dose P+ implanted 4H-SiC: miscrowave and conventional post implantation annealing at temperatures (literal)

Prodotto di

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR

• CRISTIANO ALBONETTI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Nanotecnologie di materiali multifunzionali e sistemi biologici (PM.P05.010.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CRISTIANO ALBONETTI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of electronic materials (Rivista)