Gigahertz-band electroacoustic devices based on AlN thick films sputtered on Al2O3 at low temperature (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Gigahertz-band electroacoustic devices based on AlN thick films sputtered on Al2O3 at low temperature (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.1631739 (literal)
Alternative label
  • Caliendo C. 1 (2003)
    Gigahertz-band electroacoustic devices based on AlN thick films sputtered on Al2O3 at low temperature
    in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Caliendo C. 1 (literal)
Pagina inizio
  • 1641 (literal)
Pagina fine
  • 1643 (literal)
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  • Il presente lavoro è stato pubblicato su Applied Physics Letters ed ha ricevuto il seguente giudizio:EXCELLENT. (literal)
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  • http://dx.doi.org/10.1063/1.1631739 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 83 (literal)
Rivista
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  • Impact factor= 4.20 (literal)
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  • 3 (literal)
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  • 23 (literal)
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  • Sono stati cresciuti film spessi e sottili di nitruro di alliminio si sottostrati di zaffiro (0001), Tali film sono stati caratterizzati strutturalmente mediante diffrazioine a raggi X e sono risultati essere ottimi (con FWHM minore di 1°). Sono state ricostruite le curve di dispersione sperimentali per propagazione parallela ed ortogonale all'asse \"a\" del sottostrato, per diversi valori del rapporto spessore film/lunghezza d'onda acustica. I dati sono risultati essere in ottimo accordo con quelli teorici. E' stao misurato il coefficiente di accoppiamento elettroacustico per diversi spessori e per le due direzioni (x e y) di propagazione: anche in questo caso l'accordo con i dati tteorici è risultato essere più che buono. E' stato anche misurato il coefficiente di temperatura della sytruttura AlN/zaffiro per diversi valori dello spessore del film e si è ottenuta una configurazione termicamente compensata (coefficiente termico = 0) funzionante a 2.39 GHz. (literal)
Note
  • SCImago (literal)
  • Scopu (literal)
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
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  • 1: Istituto di Acustica \"O.M.Corbino\", Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma (literal)
Titolo
  • Gigahertz-band electroacoustic devices based on AlN thick films sputtered on Al2O3 at low temperature (literal)
Abstract
  • Piezoelectric aluminum nitride films, 1.4 - 6.2 mm thick, have been grown on z-cut Al2O3 substrates by reactive radio frequency sputtering at 180 °C. The films were clear, uniform, stress-free and highly adhesive to the substrate. Surface acoustic wave (SAW) delay lines with harmonic modes operating at frequencies up to about 2.4 GHz were obtained just using conventional optical lithography at 7.5 ìm line width resolution. The phase velocity and the electromechanical coupling factor of SAWs propagating along zx-Al2O3 /AlN and zy-Al2O3/AlN structures were investigated and found in good agreement with the theoretical predictions. The AlN/Al2O3 first order temperature coefficient of frequency was estimated for different film thickness to wavelength ratio values and temperature compensated SAW delay line was obtained. (literal)
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