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Acoustoelectric probe for d33 measurement on piezoelectric thin films (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Acoustoelectric probe for d33 measurement on piezoelectric thin films (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
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- Verardi P., Craciun F. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Impact factor della rivista: 1.437 (2002).
La caratterizzazione delle proprietà piezoelettriche dei film sottili è un problema importante e difficile soprattutto se si vuole avere una misura imediata dei materiali ottenuti. I film sottili piezoelettrici sono i componenti chiave dei dispositivi microelettromeccanici, microsensori etc. ed è vitale avere una informazione immediata sulle proprietà del materiale prima di procedere al processing per la fabbricazione dei microsistemi. Il dispositivo proposto si distingue per facilità di impiego e grande sensibilità.
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- Rivista
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- Il lavoro descrive un dispositivo per la misura della costante piezoelettrica dei film sottili piezoelettrici e presenta risultati ottenuti sui film ferroelettrici e rilassori. E' inoltre possibile applicare un campo elettrico di bias mediante un circuito ausiliario e misurare la risposta piezoelettrica indotta nei film rilassori. Tra i vantaggi di questo strumento rispetto a quelli commerciali possiamo elencare la grande facilità di impiego (non è necessario depositare elettrodi sulla superficie del film), la possibilità di effettuare misure locali sulla superficie (risoluzione spaziale circa 1 mm) e la grande sensibilità (circa 1 pC/N). (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- CNR Istituto di Acustica (literal)
- Titolo
- Acoustoelectric probe for d33 measurement on piezoelectric thin films (literal)
- Abstract
- An acoustoelectric probe capable of measuring the d33 constant of piezoelectric thin films is presented. The principle used is the direct piezoelectric effect: a mechanical stress is applied to the film surface and the subsequent voltage generated is measured and compared with a reference. The mechanical stress consists of an RF acoustic longitudinal wave generated by a piezoelectric plate in a metallic rod and through this applied to the film free surface. The probe is mounted in a classical electrical probe in order to easily position and perform reliable measurements. The instrument permits the exploration and mapping of the piezoelectric properties of the deposited thin film without any need for a top electrode deposition. This allows an easy mapping of the film properties in a non destructive way. A sensitivity of 1 pC/N has been estimated. Measurement of piezoelectric properties under a DC bias field as required for relaxor thin films are also possible.
The structure and the design of the probe as well the complete experimental set up are presented. Some results of measurements made on different materials are reported.
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- Prodotto di
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