High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1021/jp709590p (literal)

Alternative label

• P. Annibale, C. Albonetti, P.Stoliar, F. Biscarini (2007)
  High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy
  in The journal of physical chemistry. A
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• P. Annibale, C. Albonetti, P.Stoliar, F. Biscarini (literal)

Pagina inizio

• 12854 (literal)

Pagina fine

• 12858 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp709590p (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 111 (literal)

Rivista

• ?The ?journal of physical chemistry. A (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Institute for the Study of Nanostructured Materials, CNR, I-40129 Bologna, Italy. (literal)

Titolo

• High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy (literal)

Abstract

• We investigate by a scanning probe technique termed phase-electrostatic force microscopy the local electrostatic potential and its correlation to the morphology of the organic semiconductor layer in operating ultra-thin film pentacene field effect transistors. This technique yields a lateral resolution of about 60 nm, allowing us to visualize that the voltage drop across the transistor channel is step-wise. Spatially localized voltage drops, adding up to about 75% of the potential difference between source and drain, are clearly correlated to the morphological domain boundaries in the pentacene film. This strongly supports and gives a direct evidence that in pentacene ultra-thin film transistors charge transport inside the channel is ultimately governed by domain boundaries. (literal)

Prodotto di

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• Processi e materiali per dispositivi per applicazioni nei settori elettrico/elettronico ed energetico (SP.P08.008.001) (Modulo)

Autore CNR

• PABLO ALBERTO STOLIAR (Unità di personale interno)
• CRISTIANO ALBONETTI (Persona)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto per lo studio dei materiali nanostrutturati (ISMN) (Istituto)
• Microscopia a Scansione a Sonda Locale su sistemi nanostrutturati e materiali biologici (MD.P06.006.001) (Modulo)
• Processi e materiali per dispositivi per applicazioni nei settori elettrico/elettronico ed energetico (SP.P08.008.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CRISTIANO ALBONETTI (Persona)
• PABLO ALBERTO STOLIAR (Unità di personale interno)
• FABIO BISCARINI (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• ?The ?journal of physical chemistry. A (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "High-resution mapping of the elctrostatic potential in organic thin-film transistor by phase electrostatic force microscopy" (Insieme di parole chiave)