Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D/3C-SiC(100) 3×2 (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D/3C-SiC(100) 3×2 (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2243801 (literal)

Alternative label

• Roy J.; Aristov V.Yu.; Radtke C.; Jaffrennou P.; Enriquez H.; Soukiassian P.; Moras P.; Spezzani C.; Crotti C.; Perfetti P. (2006)
  Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D/3C-SiC(100) 3×2
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Roy J.; Aristov V.Yu.; Radtke C.; Jaffrennou P.; Enriquez H.; Soukiassian P.; Moras P.; Spezzani C.; Crotti C.; Perfetti P. (literal)

Pagina inizio

• 042114 (literal)

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• 89 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• Scopus (literal)
• Google Scholar (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CEA, Laboratoire SIMA, Saclay, France CNR - ISM Sincrotrone Trieste Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow District, Russian Federation Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre RS, Brazil (literal)

Titolo

• Isotopic effect in deuterium-induced semiconductor surface metallization: D/3C-SiC(100) 3×2 (literal)

Abstract

• Atomic deuterium (D) interaction with the polar 3C-SiC(100) 3×2 surface is investigated by synchrotron radiation-based valence band and core level photoemission. D is found to induce metallization of the surface. The D atoms lead to a charge transfer into the topmost Si and C planes, with D atoms terminating top surface dangling bond and an asymmetric attack in the third Si plane. However, a significant isotopic effect is observed when compared to the H-induced metallization with amazingly smaller charge transfer suggesting dynamical effects. (literal)

Prodotto di

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Proprietà magnetiche, elettroniche e funzionali di aggregati di dimensione atomica (MD.P04.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• PAOLO PERFETTI (Unità di personale interno)
• CARLO SPEZZANI (Persona)
• CORRADO CROTTI (Unità di personale interno)
• PAOLO MORAS (Unità di personale esterno)

Incoming links:

Autore CNR di

• CORRADO CROTTI (Unità di personale interno)
• PAOLO PERFETTI (Unità di personale interno)
• PAOLO MORAS (Unità di personale esterno)
• CARLO SPEZZANI (Persona)

Prodotto

• Institute of structure of matter (ISM) (Istituto)
• Proprietà magnetiche, elettroniche e funzionali di aggregati di dimensione atomica (MD.P04.004.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)