High resolution photoemission core level spectroscopy study and TEM analysis of the Ge/As/Si(001) growth (Articolo in rivista)

Type
Label
  • High resolution photoemission core level spectroscopy study and TEM analysis of the Ge/As/Si(001) growth (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2001-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • De Padova, P. 1; Larciprete, R. 2; Quaresima, C. 1; Gunnella, R. 3; Reginelli, A. 1; Ferrari, L. 1; Perfetti, P. 1; Yu-Zhang, K. 4; Leprince-Wang, Y. 5 (2001)
    High resolution photoemission core level spectroscopy study and TEM analysis of the Ge/As/Si(001) growth
    in Surface science
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • De Padova, P. 1; Larciprete, R. 2; Quaresima, C. 1; Gunnella, R. 3; Reginelli, A. 1; Ferrari, L. 1; Perfetti, P. 1; Yu-Zhang, K. 4; Leprince-Wang, Y. 5 (literal)
Pagina inizio
  • 574 (literal)
Pagina fine
  • 579 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 482 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note
  • Presentato come prodotto da CLAUDIO QUARESIMA per il periodo 2001-2003 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • La crescita epitassiale di eterostrutture “strained” tra semiconduttori con parametri reticolari differenti come Ge/Si, inizia in modo bidimensionale per i primi stadi della crescita e prosegue, dopo aver raggiunto uno spessore critico, Tc, di pochi monostrati seguito dal rilassamento dello strain, con la formazione di isole 3D e difetti (modo Stranky-Krastanov: S-K). Per promuovere la crescita bidimensionale di Ge su Si occorre modificare le condizioni che determinano la crescita S-K. Un modo per fare ciò consiste nell’introduzione di un monostrato di un elemento del gruppo V (surfattante) che, abbassando l’energia libera di superficie del sistema, consente di raggiungere uno spessore critico più elevato. Ciò consente di ottenere interfaccie di migliore qualità con minore densità di difetti per dispositivi più efficienti. È quindi estremamente importante conoscere i meccanismi che regolano, a livello atomico, l’azione del surfattante. Il presente lavoro è uno studio dell’interfaccia Ge/Si(001) cresciuta in presenza di Arsenico. Tale studio è stato effettuato utilizzando congiuntamente le tecniche della spettroscopia fotoelettronica ad alta risoluzione dei livelli di core e della microscopia elettronica in trasmissione TEM. Dagli spettri livelli Si2p all’aumentare dello spessore di Ge risulta evidente che oltre al primo strato anche il secondo strato di silicio è influenzato dalla presenza dell’As. La crescita bidimensionale del Ge è stata confermata dall’analisi TEM. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 CNR 2 Sincrotrone Trieste, Basovizza (TS) 3 Uni Camerino (MC) 4 D.T.I.-CNRS, Reims, France 5 Université de Marne la Vallée, France (literal)
Titolo
  • High resolution photoemission core level spectroscopy study and TEM analysis of the Ge/As/Si(001) growth (literal)
Abstract
  • The deposition of 1 ML of As on Si(001)-(2¥1) surface and the heteroepitaxial Ge/As/Si(001)-(2¥1) growth were studied by using high resolution core-level spectroscopy and transmission electron microscopy (TEM). From the spectral decomposition of the Si2p core levels, collected on the Ge/Si interfaces obtained by codepositing As and Ge atoms at different Ge thickness, we identify the contribution of different Si layers to the Si2p lineshape, in agreement with recent theoretical final-state pseudopotential calculations. The bulk-like Ge3d core levels reflected the occurrence of a complete Ge–As site-exchange process, while the pseudomorphic layer-by-layer Ge/Si growth was confirmed by TEM investigation. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Autore CNR di
Prodotto
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it