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Clustering effects in a low coverage deposition of gold on the GaAs (001) b2-(2x4) surface: an STM and theoretical study (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Clustering effects in a low coverage deposition of gold on the GaAs (001) b2-(2x4) surface: an STM and theoretical study (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Amore Bonapasta A. 1, Scavia G. 1 and Buda F. 2 (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Lutilizzo contemporaneo di una tecnica sperimentale di microscopia a risoluzione atomica (STM-UHV) e di un metodo di calcolo teorico Car-Parrinello largamente utilizzato per lo studio di superfici e bulk di semiconduttori ha permesso di fornire una descrizione completa di un esperimento di deposizione UHV di un metallo (Au) su di una superficie di semiconduttore (GaAs), conferendo a questo lavoro una caratteristica di interdisciplinarità.
Inoltre il lavoro è stato pubblicato su Surface Science rivista internazionale con indice dimpatto 2.19.
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- Rivista
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- Larticolo riguarda la deposizione in condizioni di ultra-alto-vuoto (UHV) di uno strato ultra-sottile di Au (frazioni di monostrato) su di un monocristallo di Arseniuro di Gallio (001) b2-(2x4) ricostruito. Linterazione delloro con la superficie (001) del GaAs durante i primi stadi di deposizione e levoluzione della stessa superficie in funzione del ricoprimento è stata seguita in situ da un STM-UHV. La successiva modellizzazione dellinterazione Au-GaAs è stata effettuata confrontando le immagini STM con calcoli teorici Car-Parrinello sullo stesso sistema. La ricostruzione b2-(2x4) del GaAs (001) consiste in una successione di catene dimeriche di Arsenico in cui coppie di dimeri di As si ripetono lungo la direzione [-110]. Dalle immagini STM-UHV si può notare come, per deposizioni inferiori al mono-strato, loro tenda a formare cluster che in un certo senso rivestono le unità a due dimeri di As, senza alterarne la periodicità. I calcoli teorici dal canto loro mostrano come un singolo adatom di Au sulla superficie di GaAs inneschi un processo di clusterizzazione con altri atomi di Au proprio sopra le unità dimeriche di Arsenico del GaAs, in accordo quindi con i risultati sperimentali. Inoltre le immagini STM rivelano come, aumentando il grado di ricoprimento della superficie, la densità dei cluster di oro lungo le catene aumenti fino a riempire tutti gli spazi ancora scoperti e come, per deposizioni > 1ML, loro a T ambiente porti alla formazione di isole 3D.
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- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
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- 1 CNR
2 Uni Amsterdam (literal)
- Titolo
- Clustering effects in a low coverage deposition of gold on the GaAs (001) b2-(2x4) surface: an STM and theoretical study (literal)
- Abstract
- A comparative study of gold deposition on the GaAs(001)- b2(2x4) surface based on scanning tunneling microscopy (STM)ultra high vacuum (UHV) and CarParrinello calculations has been carried out. The theoretical results show that the preferential reactive sites of an isolated Au adatom on the GaAs surface drive a self-organizing process of further Au adatoms onto the surface, thus determining an Au clusterization onto the two-As-dimer cell. On the other hand, STMUHV images reveal, for Au depositions <1 ML, a decorating e.ect of gold towards the
GaAs(001)- b2(2x4) unit cell. In detail, gold clusters tend to cover the two-As-dimer cell without modifying the (2x4) reconstruction, in agreement with the theoretical results. Moreover, a .ne comparison between the STM images of gold clusters and the theoretical results reveals that each of these clusters can be composed of four Au adatoms directly interacting with the two As dimers of the GaAs unit cell. An STMUHV analysis of the surface for a deposition >1ML suggests that gold clusterizes into 3D clusters rather than forming a 2D layer.
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