Pb/Si(1 0 0)2 x 1 surface studied by high resolution core-level (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Pb/Si(1 0 0)2 x 1 surface studied by high resolution core-level (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Cricenti A., Ottaviani C., Perfetti P., Le Lay G. (2003)
    Pb/Si(1 0 0)2 x 1 surface studied by high resolution core-level
    in Surface science
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Cricenti A., Ottaviani C., Perfetti P., Le Lay G. (literal)
Pagina inizio
  • 227 (literal)
Pagina fine
  • 233 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 544 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • È stata studiata la superficie Pb/Si(100) 2x1 ottenuta con la crescita di un monostrato di Pb evaporato in vuoto sulla superficie del Si tenuta a 250°C. Sfruttando l'alta risoluzione della linea di fotoemissione VUV costruita dall'ISM presso ELETTRA, ed analizzando gli spettri dei livelli di core del Si e del Pb presi con diverse sensibilità di superficie, si è trovato che il sistema formato dall'ultimo strato di atomi di Si e dal monostrato di Pb costituisce una terminazione non reattiva ideale del Si. Infatti gli spettri mostrano come i contributi dai ai dangling bonds nello spettro del Si 2p del Si pulito siano rimpiazzati in quelli dell'interfaccia da contributi dovuti al legame Si-Pb. Gli atomi di Si non coinvolti nella formazione dell'interfaccia si trovano invece in configurazione di bulk, a parte un contributo probabilmente dovuto a difetti. Questo candida il sistema come ottimo metodo di passivazione del Si. È stato inoltre possibile verificare come il Pb cresciuto in queste condizioni si disponga in un'unica configurazione, formando dimeri simmetrici ortogonali alle catene di dimeri della superficie pulita del Si. Infine, il fatto che la componente nello spettro del Si 2p dovuta al legame Si-Pb si trovi ad un’energia diversa rispetto a quella prevedibile in base a considerazioni basate sull’elettronegatività dei due elementi, mostra come in questo caso gli effetti strutturali e di stato finale giocano un ruolo preponderante rispetto al trasferimento di carica. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • CNR - ISM CNRS Marseille France (literal)
Titolo
  • Pb/Si(1 0 0)2 x 1 surface studied by high resolution core-level (literal)
Abstract
  • A Pb/Si(100)2x1 surface has been studied at T=120K by high resolution core-level spectroscopy using a third generation synchrotron light source. A strong component (S), could be identified at a binding energy (BE) of -0.20 ± 0.01 eV with respect to the bulk peak. This is indicative of some reorganization of the topmost silicon atoms after Pb adsorption with the formation of Si–Pb bonds and Pb–Pb symmetric dimers. However, this shift is in the opposite site respect to the bulk peak, as compared with Sb/Si(100)2x1, thus suggesting the interplay of final states screening effects and charge transfer in the core-level position. Another component (smaller than S) is present at +0.15 eV BE, and might be due to contribution from subsurface silicon atoms, as on the clean surface, and/or to surface or interface defects. On the Si 2p core-level taken in bulk sensitive mode, we found a very narrow bulk component with a total full width half maximum (FWHM) of 160 meV at T=120K indicative of an unreacted Si–Pb interface on top of an ideal Si bulk termination. The Pb 5d core-level spectrum is well represented by one doublet, thus suggesting that each Pb atom is adsorbed in a unique environment, i.e., there is no multisite adsorption. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
Insieme di parole chiave

Incoming links:


Autore CNR di
Prodotto
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi
Insieme di parole chiave di
data.CNR.it