High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2011-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3597360 (literal)

Alternative label

• Cosentino S, Liu Pei, Le Son T, Lee S, Paine D, Zaslavsky A, Pacifici D, Mirabella S, Miritello M, Crupi I, Terrasi A (2011)
  High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots
  in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Cosentino S, Liu Pei, Le Son T, Lee S, Paine D, Zaslavsky A, Pacifici D, Mirabella S, Miritello M, Crupi I, Terrasi A (literal)

Pagina inizio

• 221107 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 98 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Brown Univ, Sch Engn, Providence, RI 02912 USA 2. Univ Catania, MATIS IMM CNR, I-95123 Catania, Italy 3. Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy (literal)

Titolo

• High-efficiency silicon-compatible photodetectors based on Ge quantum dots (literal)

Abstract

• We report on high responsivity, broadband metal/insulator/semiconductor photodetectors with amorphous Ge quantum dots (a-Ge QDs) as the active absorbers embedded in a silicon dioxide matrix. Spectral responsivities between 1-4 A/W are achieved in the 500-900 nm wavelength range with internal quantum efficiencies (IQEs) as high as similar to 700%. We investigate the role of a-Ge QDs in the photocurrent generation and explain the high IQE as a result of transport mechanisms via photoexcited QDs. These results suggest that a-Ge QDs are promising for high-performance integrated optoelectronic devices that are fully compatible with silicon technology in terms of fabrication and thermal budget. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)
• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• Salvatore Cosentino (Persona)

Incoming links:

Autore CNR di

• ISODIANA CRUPI (Unità di personale interno)
• SALVATORE MIRABELLA (Unità di personale interno)
• ANTONIO TERRASI (Unità di personale esterno)
• Salvatore Cosentino (Persona)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali per dispositivi innovativi elettronici, fotonici e fotovoltaici basati su silicio (MD.P05.006.003) (Modulo)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied physics letters (Rivista)