Cu/p-Si Schottky barrier-based near infrared photodetector integrated with a silicon-on-insulator waveguide (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Cu/p-Si Schottky barrier-based near infrared photodetector integrated with a silicon-on-insulator waveguide (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3455339 (literal)

Alternative label

• Casalino M, Sirleto L, Iodice M, Saffioti N, Gioffre M, Rendina I, Coppola G (2010)
  Cu/p-Si Schottky barrier-based near infrared photodetector integrated with a silicon-on-insulator waveguide
  in Applied physics letters
  (literal)

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• Casalino M, Sirleto L, Iodice M, Saffioti N, Gioffre M, Rendina I, Coppola G (literal)

Pagina inizio

• 241112-1 (literal)

Pagina fine

• 241112-3 (literal)

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• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v96/i24/p241112_s1?isAuthorized=no (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 96 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMM-CNR (literal)

Titolo

• Cu/p-Si Schottky barrier-based near infrared photodetector integrated with a silicon-on-insulator waveguide (literal)

Abstract

• In this letter, a near infrared all-silicon (all-Si) photodetector integrated into a silicon-on-insulator waveguide is demonstrated. The device is based on the internal photoemission effect through a metal/Si Schottky junction placed transversally to the optical field confined into the waveguide. The technological steps utilized to fabricate the device allow an efficiently monolithic integration with complementary metal-oxide semiconductor compatible structures. Preliminary results show a responsivity of 0.08 mA/W at 1550 nm with a reverse bias of 1 V and an efficient behavior both in C and L band. Finally, an estimation of bandwidth for GHz range is deduced. (literal)

Prodotto di

• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• LUIGI SIRLETO (Persona)
• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• MARIANO ANTONIO GIOFFRE' (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• MARIANO ANTONIO GIOFFRE' (Unità di personale interno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• LUIGI SIRLETO (Persona)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)