Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/JLT.2010.2081346 (literal)

Alternative label

• Casalino M, Coppola G, Gioffre M, Iodice M, Moretti L, Rendina I, Sirleto L (2010)
  Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection
  in Journal of lightwave technology (Print)
  (literal)

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• Casalino M, Coppola G, Gioffre M, Iodice M, Moretti L, Rendina I, Sirleto L (literal)

Pagina inizio

• 3266 (literal)

Pagina fine

• 3272 (literal)

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• http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=5585800 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 28 (literal)

Rivista

• Journal of lightwave technology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMM-CNR (literal)

Titolo

• Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection (literal)

Abstract

• In this paper, a new approach for the near infrared sub-bandgap detection in Si-based devices is investigated. In particular, the design, the realization and the characterization of a back illuminated silicon resonant cavity enhanced Schottky photodetectors, working at 1.55 mu m, are reported. The photodetectors are constituted by Fabry-Perot microcavity incorporating a Schottky diode. The working principle is based on the internal photoemission effect enhanced by cavity effect. Performances devices in terms of responsivity, free spectral range, finesse and estimated bandwidth are reported. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)

Autore CNR

• LUIGI MORETTI (Unità di personale esterno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• MARIANO ANTONIO GIOFFRE' (Unità di personale interno)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)
• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• LUIGI SIRLETO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)

Autore CNR di

• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• LUIGI MORETTI (Unità di personale esterno)
• MARIANO ANTONIO GIOFFRE' (Unità di personale interno)
• MAURIZIO CASALINO (Persona)
• LUIGI SIRLETO (Persona)
• IVO RENDINA (Unità di personale interno)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)

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• Journal of lightwave technology (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Cavity Enhanced Internal Photoemission Effect in Silicon Photodiode for Sub-Bandgap Detection" (Insieme di parole chiave)