Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.spmi.2008.10.024 (literal)

Alternative label

• Fabbri F; Natalini D; Cavallini A; Sekiguchi T; Nipoti R; Moscatelli F (2009)
  Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes
  in Superlattices and microstructures
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Fabbri F; Natalini D; Cavallini A; Sekiguchi T; Nipoti R; Moscatelli F (literal)

Pagina inizio

• 383 (literal)

Pagina fine

• 387 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 45 (literal)

Rivista

• Superlattices and microstructures (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 4-5 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Phods Lab, Department of Physics, University of Bologna, and CNISM, Viale Berti Pichat 6/2, 40127 Bologna, Italy Nano device characterization group, Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan CNR-IMM, Bologna Section, Via Gobetti 101,40129 Bologna, Italy (literal)

Titolo

• Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes (literal)

Abstract

• The comparison between cathodoluminescence and deep level transient spectroscopy is a powerful tool to analyze the defect formation in implanted materials. In this work aluminium implanted 4H-SiC p+/n diodes are studied. Different structures, implanted with different ion energy and fluencies, are analyzed in order to understand the process related effects. The comparison between the epilayer and the implanted areas shows an increase of the concentration of intrinsic defects in the implanted areas. The 4H-SiC band-edge emission decreases, increasing the aluminium ion dose, due to the enhancement of the lattice disorder, partially recovered by the post-implantation annealing. (literal)

Prodotto di

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)
• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Sviluppo di Modelli Fisici, Simulazioni e Tecniche di Caratterizzazione per le Nanoscienze (MD.P05.004.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ROBERTA NIPOTI (Unità di personale interno)
• FRANCESCO MOSCATELLI (Unità di personale esterno)

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• Superlattices and microstructures (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Comparison between cathodoluminescence spectroscopy and capacitance transient spectroscopy on Al+ ion implanted 4H-SiC p+/n diodes" (Insieme di parole chiave)