As doping of Si-based low-dimensional systems (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• As doping of Si-based low-dimensional systems (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3353987 (literal)

Alternative label

• Ruffino F.; Tomasello M.V.; Miritello M.; Nicotra G.; Spinella C.; Grimaldi M.G. (2010)
  As doping of Si-based low-dimensional systems
  in Applied physics letters
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ruffino F.; Tomasello M.V.; Miritello M.; Nicotra G.; Spinella C.; Grimaldi M.G. (literal)

Pagina inizio

• 093116 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v96/i9/p093116_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 96 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 9 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1. Univ Catania, Dipartimento Fis & Astron, I-95123 Catania, Italy 2. CNR IMM MATIS, I-95123 Catania, Italy 3. Scuola Super Catania, I-95123 Catania, Italy 4. IMM, CNR, I-95121 Catania, Italy (literal)

Titolo

• As doping of Si-based low-dimensional systems (literal)

Abstract

• In this work we studied the As redistribution in SiO2(70 nm)/Si(30 nm)/SiO2(70 nm) multilayer during postimplantation annealing. By Rutherford backscattering spectrometry and Z-contrast transmission electron microscopy we found an As accumulation at the Si/SiO2 interfaces and at the Si grain boundaries with no segregation of the As in the Si layer. Such an effect could be qualitatively in agreement with a model that assumes a traps distribution into the Si in the first 2-3 nm above the SiO2/Si interfaces and along the Si grain boundaries. In particular, the traps concentration at the Si/SiO2 interfaces was estimated in 10(14) traps/cm(2). (literal)

Prodotto di

• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "As doping of Si-based low-dimensional systems" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• MD.P05.006.001 Controllo su scala atomica dei materiali per dispositivi innovativi elettronici e fotonici basati su silicio. (MD.P05.006.002) (Modulo)

Autore CNR di

• ROSARIO CORRADO SPINELLA (Persona)
• GIUSEPPE NICOTRA (Unità di personale esterno)
• Francesco Ruffino (Unità di personale esterno)
• MARIA PILAR MIRITELLO (Unità di personale interno)

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• Applied physics letters (Rivista)

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