Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3027478 (literal)

Alternative label

• Gaucci P; Valletta A; Mariucci L; Pecora A; Cuscunà M; Maiolo L; Fortunato G; (2008)
  Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors
  in Applied physics letters; AIP, American institute of physics, Melville, NY (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Gaucci P; Valletta A; Mariucci L; Pecora A; Cuscunà M; Maiolo L; Fortunato G; (literal)

Pagina inizio

• 193512 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v93/i19/p193512_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 93 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR, Via del Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors (literal)

Abstract

• Drain bias induced threshold voltage variation in short channel polycrystalline silicon (polysilicon) thin-film transistors (TFTs) are investigated, combining experimental measurements and two-dimensional numerical simulations. We show that drain induced barrier lowering and floating body effects, induced by impact ionization, are the main causes of such variations. Field enhanced mechanisms, causing leakage current, tend to mitigate the effect of impact ionization, since they provide an enhanced recombination rate in the high field region. This result is in contrast to what is suggested for silicon-on-insulator devices and also applied to polysilicon TFTs, where leakage current is assumed to contribute to floating body effects. (literal)

Editore

• AIP, American institute of physics (Editore)

Prodotto di

• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• ALESSANDRO PECORA (Persona)
• GUGLIELMO FORTUNATO (Persona)
• MASSIMO CUSCUNA' (Unità di personale interno)
• ANTONIO VALLETTA (Unità di personale interno)
• LUIGI MARIUCCI (Unità di personale interno)
• LUCA MAIOLO (Unità di personale esterno)
• PAOLO GAUCCI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Dispositivi per elettronica di larga area (MD.P05.001.004) (Modulo)

Editore di

• AIP, American institute of physics (Editore)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Role of field enhanced mechanisms and impact ionization on the threshold voltage of short channel polycrystalline silicon thin film transistors" (Insieme di parole chiave)