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Investigation of dopant profiles in nanosized materials by scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Investigation of dopant profiles in nanosized materials by scanning transmission electron microscopy (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2004-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1393/ncc/i2005-10014-8 (literal)
- Alternative label
P. G. Merli, V. Morandi, A. Migliori, C. Baratto, E. Comini, G. Faglia, M.Ferroni, A. Ponzoni, N. Poli and G. Sberveglieri (2004)
Investigation of dopant profiles in nanosized materials by scanning transmission electron microscopy
in Il Nuovo cimento C (Online); Società Italiana di Fisica, Bologna (Italia)
(literal)
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- P. G. Merli, V. Morandi, A. Migliori, C. Baratto, E. Comini, G. Faglia, M.Ferroni, A. Ponzoni, N. Poli and G. Sberveglieri (literal)
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- Note
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- CNR IMM Sezione di Bologna, Area Ricerca Bologna - Via Gobetti 101 I-40126 Bologna, Italy
INFM Sensor Lab. - Dipartimento di Chimica e Fisica per l'Ingegneria e per i Materiali dell'Universita' di Brescia - Via Valotti 9, 25133 Brescia, Italy (literal)
- Titolo
- Investigation of dopant profiles in nanosized materials by scanning transmission electron microscopy (literal)
- Abstract
- Scanning electron microscopy is capable to provide chemical information on specimens interesting for the field of materials science and nanotechnology. The spatial resolution and the chemical information provided by incoherent imaging and detection of transmitted, forward-scattered electrons can reveal useful information about the specimen composition and microstructure. This paper discusses the capability and potential of low-voltage Scanning Transmission Electron Microscopy (STEM) for the characterization of multilayered structures and dopant profiles in crystalline materials. (literal)
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