Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1109/TED.2005.857186 (literal)

Alternative label

• Sciuto A.; Libertino S.; Coffa S.; Coppola G.; Iodice M. (2005)
  Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator
  in I.E.E.E. transactions on electron devices
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Sciuto A.; Libertino S.; Coffa S.; Coppola G.; Iodice M. (literal)

Pagina inizio

• 2374 (literal)

Pagina fine

• 2378 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 52 (literal)

Rivista

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 11 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Natl Sci Res Council, Inst Microelect & Microsyst, I-95121 Catania, Italy; STMicroelect, I-95121 Catania, Italy; Natl Sci Res Council, Inst Microelect & Microsyst, I-80131 Naples, Italy (literal)

Titolo

• Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator (literal)

Abstract

• We propose a novel method to monitor the carrier plasma distribution in a bipolar mode field effect transistor light modulator, using standard emission microscopy. Our bi-dimensional maps validate the theoretical predictions of plasma distribution as a function of the device bias. Dynamical measurements provide an experimental evidence of a frequency threshold in the electric field induced plasma distribution. Below 500 kHz generation/recombination processes while above drift phenomena allow the plasma localization in the device. An effective carrier lifetime >= 2 mu s was extrapolated. (literal)

Prodotto di

• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Autore CNR

• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)
• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• MARIO IODICE (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• SEBANIA LIBERTINO (Unità di personale interno)
• MARIO IODICE (Unità di personale interno)
• ANTONELLA SCIUTO (Persona)
• GIUSEPPE COPPOLA (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Microsistemi optoelettronici in silicio e tecnologie compatibili (MD.P05.014.001) (Modulo)
• Nuovi sensori in tecnologia planare (MD.P05.023.002) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• I.E.E.E. transactions on electron devices (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Experimental evidences of carrier distribution and behavior in frequency in a BMFET modulator" (Insieme di parole chiave)