Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2002-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.1499228 (literal)

Alternative label

• Goghero D. , Raineri V. , Giannazzo F. (2002)
  Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy
  in Applied physics letters; American Institute of Physics, Melville [NY] (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Goghero D. , Raineri V. , Giannazzo F. (literal)

Pagina inizio

• 1824 (literal)

Pagina fine

• 1826 (literal)

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• Il lavoro è molto citato da tutta la comunità scientifica impegnata nello sviluppo di tecniche di caratterizzazione profilometriche su scala nanometrica. Inoltre, è molto importante ai fini della caratterizzazione elettrico-strutturale di dispositivi ad altissimo livello di integrazione. Fattore impatto della rivista (2002): 4.207 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 81 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• Impact Factor (2002): 4.207 (literal)

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• E' stato ultimato lo sviluppo di una tecnica molto efficace in termini di sensibilità e risoluzione spaziale per la determinazione del profilo di portatori di carica in dispositivi micro- e nanoelettronici. La tecnica è basata su misure di scanning capacitance implementante in un microscopio a forza atomica. I ricercatori dell'IMM (Sezione di Catania) hanno determinato tutti i parametri critici che influenzano le misure per garantire la perfetta riproducibilità delle stesse. Al momento i risultati ottenuti sono quanto di meglio esiste nel campo del profiling bidimensionale di portatori in semiconduttori. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMM-CNR Sezione di Catania (literal)

Titolo

• Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy (literal)

Abstract

• We demonstrate that the contrast reversal effect in scanning capacitance microscopy (SCM) is related to the Si/SiO2 interface microroughness. The surface roughness has been associated with the concentration of states at the Si/SiO2 interface and a monotonic behavior of the SCM imaging is preferentially observed for a smooth surface and consequently a low state concentration. Changes in the oxide quality have also been found to strongly influence the measurements. A criterion based on the hysteresis measurements from forward and reverse dC/dV-V curves is discussed to better evaluate the oxide quality and to obtain reproducible SCM data. (literal)

Editore

• American Institute of Physics (Editore)

Prodotto di

• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• FILIPPO GIANNAZZO (Persona)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Nanotecnologie e tecnologie avanzate per elettronica integrata (MD.P05.003.004) (Modulo)

Editore di

• American Institute of Physics (Editore)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Study of interface states and oxide quality to avoid contrast reversal in scanning capacitance microscopy" (Insieme di parole chiave)