A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1002/adma.200304806 (literal)

Alternative label

• Lo Nigro R., Toro R.G., Malandrino G., Raineri V., Fragala I.L. (2003)
  A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films
  in Advanced materials (Weinh., Print); Wiley-VCH - Weinheim, Wheinheim (Germania)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Lo Nigro R., Toro R.G., Malandrino G., Raineri V., Fragala I.L. (literal)

Pagina inizio

• 1071 (literal)

Pagina fine

• 1075 (literal)

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• Si tratta di un lavoro molto importante nel campo della ricerca di materiali high-k alternativi all'ossido di afnio per applicazioni nella tecnologia CMOS oltre il nodo tecnologico da 65 nm. (literal)

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• 15 (literal)

Rivista

• Advanced materials (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• Impatc Factor (2002): 6.801 (literal)

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• 5 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 13 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto

• Si tratta di un lavoro nel quale si dimostra la possibilità di preparare film sottili high-k di Pr2O3 di alta qualità e con proprietà elettriche molto promettenti. I film sono stati preparati mediante deposizione chimica metallo-organica su substrati Si(100). Il fattore più critico per la formazione riproducibile e selettiva di film di Pr2O3 è rappresentato dalla pressione parziale di ossigeno nella camera di reazione. Analisi X-ray e in diffrazione elettronica mostrano che lo strato di ossido cresce con una struttura esagonale random. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• IMM-CNR Sezione di Catania, Dipartimento di Chimica Università di Catania (literal)

Titolo

• A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films (literal)

Abstract

• High-quality Pr2O3 high-k thin films with very promising electrical properties have been prepared by metal-organic chemical vapor deposition on Si(100) substrates. The most critical factor for selective and reproducible Pr2O3 film formation is the oxygen partial pressure in the reaction chamber. X-ray and transmission electron microscopy diffraction patterns show that the oxide layer grows with a hexagonal random structure. (literal)

Editore

• Wiley-VCH - Weinheim (Editore)

Prodotto di

• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)
• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)

Autore CNR

• VITO RAINERI (Persona)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• VITO RAINERI (Persona)
• RAFFAELLA LO NIGRO (Unità di personale interno)
• ROBERTA GRAZIA TORO (Unità di personale interno)

Prodotto

• Institute for microelectronics and microsystems (IMM) (Istituto)
• Materiali multifunzionali, e innovativi per componenti integrati (MD.P05.003.002) (Modulo)

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• Advanced materials (Rivista)

Editore di

• Wiley-VCH - Weinheim (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "A simple route to the synthesis of Pr2O3 high-k thin films" (Insieme di parole chiave)