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Breakdown transients in ultrathin gate oxides: transition in the degradation rate (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Breakdown transients in ultrathin gate oxides: transition in the degradation rate (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Alternative label
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- Lombardo S., Stathis J.H., Linder B.P. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
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- Si tratta di un lavoro di importanza cruciale per la comprensione dei meccanismi di base concernenti i fenomeni di rottura in ossidi ultra-sottili nanometrici utilizzati nella tecnologia CMOS ultra-scalata. Impact Factor della rivista (2002): 7.323 (literal)
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- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
- In questo lavoro viene dimostrata l'esistenza di una soglia brusca a 4 V nella velocità di crescita degli spot di breakdown in film sottili di SiO2 su silicio. Tale evidenza fornisce le prime fondamentali informazioni sulla struttura elettronica dello spot di breakdown. (literal)
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- 1 IMM-CNR Sezione di Catania, 2 IBM Yorktown USA (literal)
- Titolo
- Breakdown transients in ultrathin gate oxides: transition in the degradation rate (literal)
- Abstract
- We report a sharp threshold at 4 V in the growth rate of breakdown spots in thin films of SiO2 on silicon. This provides some of the first information concerning the electronic structure of the breakdown spot. (literal)
- Prodotto di
- Autore CNR
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