Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (Articolo in rivista)

Type
Label
  • Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
  • 10.1063/1.1613032 (literal)
Alternative label
  • Giannazzo F., Goghero D., Raineri V., Mirabella S., Priolo F. (2003)
    Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si
    in Applied physics letters
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Giannazzo F., Goghero D., Raineri V., Mirabella S., Priolo F. (literal)
Pagina inizio
  • 2659 (literal)
Pagina fine
  • 2661 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#altreInformazioni
  • Si tratta di misure effettuate su scala nanometrica su profili di drogaggio molto stretti. La tecnica SCM sviluppata presso l'IMM (Sezione di Catania) è allo stato dell'arte e le misure possibili forniscono un notevole vantaggio competitivo per lo sviluppo delle tecnologie nanoelettroniche dei dispositivi CMOS ultrascalati. Impact Factor della rivista (2002): 4.207 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 83 (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • In questo lavoro vengono descritte misure di scanning capacitance microscopy (SCM) sia in sezione trasversale che in configurazione angle-beveling su spike di boro ultra-stretti caratterizzati da una full width half-maximum più piccola del diametro della sonda SCM. E' stata investigata la dipendenza della risposta SCM dal fattore di magnificazione ed è stato dimostrato un notevole miglioramento sia in termini di risoluzione che di sensibilità usando la configurazione angle-beveling. Il range di applicabilità dell'approccio \"direct inversion\" per la quantificazione dei profili SCM su spike di boro ultrastretti è stato definito per spike ad alto drogaggio più spessi di 3 nm. Le simulazioni a due dimensioni ci hanno permesso una eccellente riproducibilitò di tutti gli aspetti fondamentali dei profili sperimentali SCM. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • 1 IMM-CNR Sezione di Catania 2 INFM-CT (literal)
Titolo
  • Scanning capacitance microscopy on ultranarrow doping profiles in Si (literal)
Abstract
  • Scanning capacitance microscopy (SCM) has been performed both in cross-sectional and in angle-beveling configurations on ultranarrow B spikes with a full width at half-maximum smaller than the SCM probe diameter. The dependence of the SCM response on the magnification factor has been studied, demonstrating an improvement both in terms of spatial resolution and sensitivity by angle-beveling sample preparation. The range of applicability of the direct inversion approach for the quantification of SCM profiles on ultranarrow B spikes has been assessed for high doping spikes thicker than 3 nm and measured on bevel. Two-dimensional simulations allowed the reproduction of all the main features of the experimental SCM profiles. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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