An AlGaAs-GaAs-based RCE MSM photodetector with delta modulation doping (Articolo in rivista)

Type
Label
  • An AlGaAs-GaAs-based RCE MSM photodetector with delta modulation doping (Articolo in rivista) (literal)
Anno
  • 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
Alternative label
  • Chen X., Nabet B., Cola A., Quaranta F., Currie M. (2003)
    An AlGaAs-GaAs-based RCE MSM photodetector with delta modulation doping
    in IEEE electron device letters (Print)
    (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
  • Chen X., Nabet B., Cola A., Quaranta F., Currie M. (literal)
Pagina inizio
  • 312 (literal)
Pagina fine
  • 314 (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
  • 24(5) (literal)
Rivista
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#descrizioneSinteticaDelProdotto
  • E' stato progettato, fabbricato e testato un nuovo fotorivelatore a base GaAs–AlGaAs contenenente un riflettore di Bragg, per aumentare la sensitivita' e caratterizzato dalla presenza di un delta-doping nello strato AlGaAs per creare il gas elettronico bidimensionale (2DEG) nello strato assorbente di GaAs. Tale dispositivo evidenzia ottime proprieta' in termini di risposta spettrale, di corrente di buio, in responsivita' dc, nonche' nella velocita' di risposta. L'incremento di responsivita'e di velocita' e' attribuito al campo elettrico verticale ed al potenziale nella direzione di crescita causati dal drogaggio 'delta'; la riduzione di corrente e' attribuito all'aumento dell'altezza di barriera all'interfaccia metallo/AlGaAs dovuto all'interazione coulombiana della nuvola di elettroni confinati con gli elettroni che attraversano la barriera. Queste caratteristiche favorevoli combinate con la compatibilita' dei processi con quelli dei transistor ad alta mobilita' elettronica (HEMT)rende questi dispositivi degli eccellenti candidati, in generale per applicazioni che richiedano alta sensitivita' ed in particolare per applicazioni nelle comunicazioni ad alta velovita' in aree locali. (literal)
Note
  • ISI Web of Science (WOS) (literal)
Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
  • (1) Drexel University, Philadelphia, USA (2) IMM-CNR sezione di Lecce, Italy (3) Naval Research Laboratory, Washington dc, USA (literal)
Titolo
  • An AlGaAs-GaAs-based RCE MSM photodetector with delta modulation doping (literal)
Abstract
  • An AlGaAs-GaAs-based resonant-cavity-enhanced, heterostructure metal-semiconductor-metal photodetector with delta modulation doping operating at 850 nm is reported. Delta doping of the top AlGaAs layer produces a confined election cloud and an associated electric field. Photocurrent spectral response shows the delta-doped photodetector has larger spectral response than the undoped one at all wavelengths. The delta-doped device also shows lower dark current and higher photo response coma pared to an undoped one, resulting in over an order of magnitude increase in its dynamic range. Time responses indicate that the doped devices have larger amplitudes but smaller full-width at half-maximum (FWHM) than the undoped ones. The increase in responsivity and speed of response is attributed to the vertical electric field and suitable potential profile in the direction of growth, while the decrease of the dark current is due to the confined electron cloud. (literal)
Prodotto di
Autore CNR
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