Metalorganic chemical vapor deposition of Er2O3 thin films: Correlation between growth process and film properties (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Metalorganic chemical vapor deposition of Er2O3 thin films: Correlation between growth process and film properties (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.tsf.2008.10.041 (literal)

Alternative label

• M.M. Giangregorio; M. Losurdo; A. Sacchetti; P. Capezzuto, G. Bruno, (2009)
  Metalorganic chemical vapor deposition of Er2O3 thin films: Correlation between growth process and film properties
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M.M. Giangregorio; M. Losurdo; A. Sacchetti; P. Capezzuto, G. Bruno, (literal)

Pagina inizio

• 2606 (literal)

Pagina fine

• 2610 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 517 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• IMIP CNR, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, Via Orabona 4, I-70125 Bari, Italy. (literal)

Titolo

• Metalorganic chemical vapor deposition of Er2O3 thin films: Correlation between growth process and film properties (literal)

Abstract

• r2O3 thin films have been grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at 600 degrees C on different substrates, including glass, Si (100) and sapphire (0001) using tris(isopropylcyclopentadienyl)erbium and O-2. The effects of growth parameters such as the substrate, the O-2 plasma activation and the temperature of organometallic precursor injection, on the nucleation/growth kinetics and, consequently, on film properties have been investigated. Specifically, very smooth (111)-oriented Er2O3 thin films (the root mean square roughness is 0.3 nm) are achieved on Si (100), alpha-Al2O3 (0001) and amorphous glass by MOCVD. Growth under O-2 remote plasma activation results in an increase in growth rate and in (100)-oriented Er2O3 films with high refractive index and transparency in the visible photon energy range (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• PIO CAPEZZUTO (Persona)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)
• MARIA MICHELA GIANGREGORIO (Persona)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)