Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1209/epl/i2005-10544-9 (literal)

Alternative label

• Ninno, D; Trani, F; Cantele, G; Hameeuw, KJ; Iadonisi, G; Degoli, E; Ossicini, S (2006)
  Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals
  in Europhysics letters (Print); EDP Sciences, Les Ulis Cedex (Francia)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Ninno, D; Trani, F; Cantele, G; Hameeuw, KJ; Iadonisi, G; Degoli, E; Ossicini, S (literal)

Pagina inizio

• 519 (literal)

Pagina fine

• 525 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://iopscience.iop.org/0295-5075/74/3/519/ (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 74 (literal)

Rivista

• Europhysics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 7 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• Coherentia CNR, INFM, I-80126 Naples, Italy; Univ Naples Federico II, Dipartimento Sci Fisiche, I-80126 Naples, Italy; Univ Antwerp, TFVS, B-2610 Antwerp, Belgium; Univ Modena & Reggio Emilia, CNR, INFM S3, I-42100 Reggio Emilia, Italy; Univ Modena & Reggio Emilia, Dipartimento Sci & Metodi Ingn, I-42100 Reggio Emilia, Italy (literal)

Titolo

• Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals (literal)

Abstract

• Using first-principle density-functional theory in the GGA approximation we have studied the electronic screening in semiconductor nanocrystals. Combining simple electrostatics and the Thomas-Fermi theory it is shown that an analytical and general form of a model position-dependent screening function can be obtained. Taking as a case study silicon nanocrystals, the relative weights of the nanocrystal core and surface polarization contribution to the screening are thoroughly discussed. The connection between the screening at the nanoscale and in the bulk is clarified. (literal)

Editore

• EDP Sciences (Editore)

Prodotto di

• Fisica dei materiali nanostrutturati per sensori di gas (MD.P05.016.001) (Modulo)
• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)

Autore CNR

• STEFANO OSSICINI (Persona)
• ELENA DEGOLI (Persona)
• DOMENICO NINNO (Unità di personale esterno)
• GIOVANNI CANTELE (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Autore CNR di

• GIOVANNI CANTELE (Persona)
• ELENA DEGOLI (Persona)
• DOMENICO NINNO (Unità di personale esterno)
• STEFANO OSSICINI (Persona)

Prodotto

• Teoria e simulazione di materiali nanostrutturati (MD.P06.012.001) (Modulo)
• Fisica dei materiali nanostrutturati per sensori di gas (MD.P05.016.001) (Modulo)

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• Europhysics letters (Rivista)

Editore di

• EDP Sciences (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Thomas-Fermi model of electronic screening in semiconductor nanocrystals" (Insieme di parole chiave)