Interfacial reactions during GaN and AiN epitaxy on 4H- and 6H-SiC(0001) (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Interfacial reactions during GaN and AiN epitaxy on 4H- and 6H-SiC(0001) (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2005-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

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• 10.1063/1.1852703 (literal)

Alternative label

• M. Losurdo , P. Capezzuto, G.Bruno, T.Ho Kim, A.S. Brown, Z. Liliental-Weber (2005)
  Interfacial reactions during GaN and AiN epitaxy on 4H- and 6H-SiC(0001)
  in Applied physics letters
  (literal)

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• M. Losurdo , P. Capezzuto, G.Bruno, T.Ho Kim, A.S. Brown, Z. Liliental-Weber (literal)

Pagina inizio

• 021920 (literal)

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• http://www.cnr.it (literal)

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• 86 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

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• 3 (literal)

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• 2 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, I-70126 Bari, Italy 2. INSTM, I-70126 Bari, Italy 3. Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27709 USA 4. Univ Calif Berkeley, Lawrence Berkeley Lab, Berkeley, CA 94720 USA (literal)

Titolo

• Interfacial reactions during GaN and AiN epitaxy on 4H- and 6H-SiC(0001) (literal)

Abstract

• Thin layers of AlN and GaN have been grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on Si-face 4H- and 6H-SiC(0001)(Si) substrates. The impact of the SiC surface preparation and oxide removal via a Ga deposition and desorption process on the chemistry and structure of the GaN/SiC and AlN/SiC interfaces, and on the GaN/SiC subsurface reactivity is characterized. We also investigate the impact of this process on growth mode evolution. (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Interfacial reactions during GaN and AiN epitaxy on 4H- and 6H-SiC(0001)" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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