Structural and optical characterization of GaN heteroepitaxial films on SiC substrates (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Structural and optical characterization of GaN heteroepitaxial films on SiC substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.apsusc.2006.05.097 (literal)

Alternative label

• M. Morse, P. Wu, S. Choi, T.H. Kim, A.S. Brown, M. Losurdo, G. Bruno (2006)
  Structural and optical characterization of GaN heteroepitaxial films on SiC substrates
  in Applied surface science
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Morse, P. Wu, S. Choi, T.H. Kim, A.S. Brown, M. Losurdo, G. Bruno (literal)

Pagina inizio

• 232 (literal)

Pagina fine

• 235 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 253 (literal)

Rivista

• Applied surface science (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• [ 1 ] Duke Univ, Dept Elect & Comp Engn, Durham, NC 27706 USA [ 2 ] Duke Univ, Dept Phys, Durham, NC 27706 USA [ 3 ] CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, I-70126 Bari, Italy (literal)

Titolo

• Structural and optical characterization of GaN heteroepitaxial films on SiC substrates (literal)

Abstract

• We have estimated the threading dislocation density and type via X-ray diffraction and Williamson-Hall analysis to elicit qualitative information directly related to the electrical and optical quality of GaN epitaxial layers grown by PAMBE on 4H- and 6H-SiC substrates. The substrate surface preparation and buffer choice, specifically: Ga flashing for SiC oxide removal, controlled nitridation of SiC, and use of AlN buffer layers all impact the resultant screw dislocation density, but do not significantly influence the edge dislocation density. We show that modification of the substrate surface strongly affects the screw dislocation density, presumably due to impact on nucleation during the initial stages of heteroepitaxy. (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Applied surface science (Rivista)