An optical study of the correlation between growth kinetics and microstructure of mc-Si grown by SiH4-H2 PECVD (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• An optical study of the correlation between growth kinetics and microstructure of mc-Si grown by SiH4-H2 PECVD (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2006-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.apsusc.2006.05.094 (literal)

Alternative label

• M.M. Giangregorio, M. Losurdo, A. Sacchetti, P. Capezzuto, F. Giorgis, G. Bruno (2006)
  An optical study of the correlation between growth kinetics and microstructure of mc-Si grown by SiH4-H2 PECVD
  in Applied surface science
  (literal)

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• M.M. Giangregorio, M. Losurdo, A. Sacchetti, P. Capezzuto, F. Giorgis, G. Bruno (literal)

Pagina inizio

• 287 (literal)

Pagina fine

• 291 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 253 (literal)

Rivista

• Applied surface science (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 1 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• 1. CNR, IMIP, I-70126 Bari, Italy 2. Politecn Torino, Dept Phys, I-10129 Turin, Italy 3. Mat & Microsyst Lab, I-10034 Turin, Italy (literal)

Titolo

• An optical study of the correlation between growth kinetics and microstructure of mc-Si grown by SiH4-H2 PECVD (literal)

Abstract

• Fully microcrystalline silicon, mu c-Si, thin films have been deposited on corning glass by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using SiH(4)-H(2). The effects of the surface treatment and of the deposition temperature on microstructure of mu c-Si films are investigated by \"in situ\" laser reflectance interferometry (LRI), \"ex situ\" spectroscopic ellipsometry (SE) and Raman spectroscopy. LRI indicated the existence of a \"crystalline seeding time\", which is indicative of the crystallite nucleation, and depends on substrate treatments. Longer \"crystalline seeding time\" results in a lower density of crystalline nuclei, which grow laterally, yielding to complete suppression of the amorphous incubation layer and to growth of very dense, fully crystalline layer at a growth temperature as low as 120 degrees C. (literal)

Prodotto di

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "An optical study of the correlation between growth kinetics and microstructure of mc-Si grown by SiH4-H2 PECVD" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)

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• Applied surface science (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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