Study of the interface in n+ c-Si/p-type c-Si Heterojunctions: Role of the fluorine chemistry in the interface passivation (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Study of the interface in n+ c-Si/p-type c-Si Heterojunctions: Role of the fluorine chemistry in the interface passivation (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2003-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/S0040-6090(02)01214-2 (literal)

Alternative label

• M. Losurdo, A. Grimaldi, A. Sacchetti, P. Capezzuto, M. Ambrico, G. Bruno, F. Roca (2003)
  Study of the interface in n+ c-Si/p-type c-Si Heterojunctions: Role of the fluorine chemistry in the interface passivation
  in Thin solid films (Print)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• M. Losurdo, A. Grimaldi, A. Sacchetti, P. Capezzuto, M. Ambrico, G. Bruno, F. Roca (literal)

Pagina inizio

• 171 (literal)

Pagina fine

• 175 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 427 (literal)

Rivista

• Thin solid films (Rivista)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• 1 ] CNR, IMIP, Inst Inorgan Methodol & Plasmas, I-70126 Bari, Italy [ 2 ] ENEA, Ctr Ric Portici, I-80055 Portici, NA, Ital (literal)

Titolo

• Study of the interface in n+ c-Si/p-type c-Si Heterojunctions: Role of the fluorine chemistry in the interface passivation (literal)

Abstract

• Investigation of n –p heterojunction solar cells obtained by depositing a n-type thin silicon films either amorphous or microcrystalline on p-type c-Si is carried out.The study is focused on the improvement of the c-Si surface and emitter layer y c-Si substrate interface.The peculiarity is the use of SiF -based plasmas for the in situ dry cleaning and passivation of the c-Si surface and for the PECVD deposition of the emitter layer that can be either amorphous (a-Si:H,F )or microcrystalline (m c-Si). The use of SiF instead of the conventional SiH results in a lower hydrogen content in the film and in a reduction of the 44 interaction of the c-Si surface with hydrogen atoms.Furthermore,the dependence of the heterojunction solar cell photovoltaic parameters on the insertion of an intrinsic buffer layer between the n-type thin silicon layer and the p-type c-Si substrate is discussed. _ 2002 Elsevier Science B.V.All rights reserved. Keywords: Heterojunctions;Thin silicon;Buffer layer (literal)

Prodotto di

• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)
• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)

Autore CNR

• PIO CAPEZZUTO (Persona)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)
• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto di Nanotecnologia (NANOTEC) (Istituto)
• Plasmi per la Scienza dei Materiali (MD.P03.025.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI BRUNO (Unità di personale interno)
• MARIA LOSURDO (Unità di personale interno)
• ALBERTO SACCHETTI (Unità di personale interno)
• MARIANNA AMBRICO (Persona)
• PIO CAPEZZUTO (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Thin solid films (Rivista)