Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.3459968 (literal)

Alternative label

• Meneghesso G. a; Rossi F. b; Salviati G. b; Uren M. c; Munoz E. d; Zanoni E. a (2010)
  Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
  in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Meneghesso G. a; Rossi F. b; Salviati G. b; Uren M. c; Munoz E. d; Zanoni E. a (literal)

Pagina inizio

• 263512-1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 96 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Applied Physics Letters, vol. 96 article n. 263512. American Institute of Physics, 2010. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 26 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• a Department of Information Engineering, University of Padova, Via Gradenigo 6/A, 35131 Padova, Italy; b IMEM-CNR Institute, Viale Usberti 37/A, 43124 Parma, Italy; c QinetiQ Ltd., Malvern WR14 3PS, United Kingdom; d ISOM and DIE, Universidad Politecnica of Madrid, Madrid 28034, Spain (literal)

Titolo

• Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (literal)

Abstract

• The \"kink\" effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistor current-voltage characteristics is shown to be associated with the epitaxial growth and is unaffected by fabrication process or growth substrate in device wafers from two epitaxy sources and three foundries. We demonstrate that there is a direct correlation between the presence of the \"kink\" and the presence of a broad yellow cathodoluminescence band. On the basis of generally accepted models for yellow luminescence, we propose that the kink is due to the presence of deep levels in the GaN buffer layer which decrease the drain current when negatively charged. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Sistemi per la conversione di energia (SP.P02.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIANCARLO SALVIATI (Persona)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)

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• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Correlation between kink and cathodoluminescence spectra in AlGaN/GaN high electron mobility transistors" (Insieme di parole chiave)