Metamorphic quantum dots: Quite different nanostructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Metamorphic quantum dots: Quite different nanostructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Seravalli L.; Frigeri P.; Nasi L.; Trevisi G.; Bocchi C. (2010)
  Metamorphic quantum dots: Quite different nanostructures
  in Journal of applied physics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Seravalli L.; Frigeri P.; Nasi L.; Trevisi G.; Bocchi C. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 108 (literal)

Rivista

• Journal of applied physics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Journal of Applied Physics, vol. 108 (6) article n. 064324. AIP, 2010. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma (literal)

Titolo

• Metamorphic quantum dots: Quite different nanostructures (literal)

Abstract

• In this work, we present a study of InAs quantum dots deposited on InGaAs metamorphic buffers by molecular beam epitaxy. By comparing morphological, structural, and optical properties of such nanostructures with those of InAs/GaAs quantum dot ones, we were able to evidence characteristics that are typical of metamorphic InAs/InGaAs structures. The more relevant are: the cross-hatched InGaAs surface overgrown by dots, the change in critical coverages for island nucleation and ripening, the nucleation of new defects in the capping layers, and the redshift in the emission energy. The discussion on experimental results allowed us to conclude that metamorphic InAs/InGaAs quantum dots are rather different nanostructures, where attention must be put to some issues not present in InAs/GaAs structures, namely, buffer-related defects, surface morphology, different dislocation mobility, and stacking fault energies. On the other hand, we show that metamorphic quantum dot nanostructures can provide new possibilities of tailoring various properties, such as dot positioning and emission energy, that could be very useful for innovative dot-based devices. (literal)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• CLAUDIO BOCCHI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Metamorphic quantum dots: Quite different nanostructures" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• LUCIA NASI (Unità di personale interno)
• CLAUDIO BOCCHI (Persona)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale interno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Journal of applied physics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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