Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2010-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1007/s11671-010-9760-5 (literal)

Alternative label

• Bietti S.; Somaschini C.; Koguchi N.; Frigeri C.; Sanguinetti S. (2010)
  Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate
  in Nanoscale research letters (Print); Springer Science+Business Media, Berlin, Heidelberg (Germania)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Bietti S.; Somaschini C.; Koguchi N.; Frigeri C.; Sanguinetti S. (literal)

Pagina inizio

• 1905 (literal)

Pagina fine

• 1907 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.nanoscalereslett.com/content/5/12/1905 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 5 (literal)

Rivista

• Nanoscale research letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Nanoscale Research Letters, vol. 5 (12) pp. 1905 - 1907. Special Section(pp.1863-1951): 8th International Workshop on Epitaxial Semiconductors on Patterned Substrates and Novel Index Surfaces. Springer, 2010. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• L-NESS and Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita' di Milano Bicocca, Italy, CNR-IMEM, Parma (literal)

Titolo

• Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate (literal)

Abstract

• We propose a self-assembling procedure for the fabrication of GaAs islands by Droplet Epitaxy on silicon substrate. Controlling substrate temperature and amount of supplied gallium is possible to tune the base size of the islands from 70 up to 250 nm and the density from 107 to 109 cm-2. The islands show a standard deviation of base size distribution below 10% and their shape evolves changing the aspect ratio from 0.3 to 0.5 as size increases. Due to their characteristics, these islands are suitable to be used as local artificial substrates for the integration of III-V quantum nanostructures directly on silicon substrate. (literal)

Editore

• Springer Science+Business Media (Editore)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• CESARE FRIGERI (Persona)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#rivistaDi

• Nanoscale research letters (Rivista)

Editore di

• Springer Science+Business Media (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Self-Assembled Local Artificial Substrates of GaAs on Si Substrate" (Insieme di parole chiave)