A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2009-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Attolini G.; Watts B. E.; Bosi M.; Rossi F.; Riesz F. (2009)
  A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios
  in Materials science forum
  (literal)

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• Attolini G.; Watts B. E.; Bosi M.; Rossi F.; Riesz F. (literal)

Pagina inizio

• 153 (literal)

Pagina fine

• 156 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 615-6 (literal)

Rivista

• Materials science forum (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Materials Science Forum, vol. 615-617 pp. 153 - 156. Trans Tech Publications, 2009. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy (literal)

Titolo

• A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios (literal)

Abstract

• A comparative study of the morphology of 3C-SiC films prepared with different C:Si ratios is presented. The silane precursor controls the growth rate at all values of C:Si ratio but combined of observations using Atomic Force Microscopy (AFM) and Scanning Electron Microscopy (SEM) indicates that the C:Si ratio is critical in determining the grain size and at values of C:Si close to 1 texturing and faceting become evident. Makyoh Topography reveals various surface defects, a slight mesoscale roughness and bending of the epiwafers. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• MATTEO BOSI (Persona)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• FRANCESCA ROSSI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)

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• Materials science forum (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "A comparative study of the morphology of 3C-SiC grown at different C/Si ratios" (Insieme di parole chiave)