Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Frigeri C.; Attolini G.; Bosi M.; Watts B. E. (2008)
  Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity
  in Journal of materials science. Materials in electronics
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Frigeri C.; Attolini G.; Bosi M.; Watts B. E. (literal)

Pagina inizio

• S303 (literal)

Pagina fine

• S306 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 19 (literal)

Rivista

• Journal of materials science. Materials in electronics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Journal of Materials Science-Materials in Electronics, vol. 19 pp. S303 - S306. Springer, 2008. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM, Parma (literal)

Titolo

• Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity (literal)

Abstract

• Cubic SiC layers grown by VPE on n-type, p-type or semi-insulating Si substrates have been characterized as regards the formation of voids in the Si substrate, namely pyramidal voids and micropipes. The former have been detected in n-type substrates, the latter in p-type and semi-insulating substrates. The total empty volume of the pyramidal voids is higher than that of the micropipes suggesting that the probability of Si out-diffusion is higher in the n-type Si substrates. The results are discussed in terms of the influence of the Fermi level on the diffusivity of the Si atoms and their out-diffusion from the substrate. (literal)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• CESARE FRIGERI (Persona)
• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity" (Insieme di parole chiave)

Incoming links:

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• BERNARD ENRICO WATTS (Unità di personale interno)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• MATTEO BOSI (Persona)

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• Journal of materials science. Materials in electronics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

• Parole chiave di "Characterisation of cubic SiC layers VPE grown on Si substrates of different conductivity" (Insieme di parole chiave)