Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1016/j.mseb.2007.08.017 (literal)

Alternative label

• Gombia E.; Ghezzi C.; Parisini A.; Tarricone L.; Longo M. (2008)
  Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures
  in Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology; ELSEVIER SCIENCE SA, PO BOX 564, 1001 LAUSANNE (Svizzera)
  (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori

• Gombia E.; Ghezzi C.; Parisini A.; Tarricone L.; Longo M. (literal)

Pagina inizio

• 171 (literal)

Pagina fine

• 174 (literal)

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• Symposium on Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications held at the 2007 EMRS Spring Meeting, Strasbourg, FRANCE, MAY 28-JUN 01, 2007 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921510707004710 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 147 (literal)

Rivista

• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, vol. 147 pp. 171 - 174. Elsevier, 2008. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 2-3 (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR-IMEM, Parma, Dipartimento di Fisica, Università di Parma (literal)

Titolo

• Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures (literal)

Abstract

• An accurate determination of the valence band discontinuity of the lattice matched GaAs/InGaP heterostructure is performed by admittance spectroscopy measurements in p+/MQW/n+ structures grown by metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE). Through the analysis of the temperature dependence of the resonant frequency at which the isothermal curves of the conductance over frequency have the maximum, the energy separation of 336+-5 meV between the lowest heavy hole quantum level in the GaAs wells and the InGaP valence band top is obtained. A valence band discontinuity of Ev=346+-5 meV is then derived by accounting for the calculated confinement energy of heavy holes. (literal)

Editore

• ELSEVIER SCIENCE SA (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR

• ENOS GOMBIA (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Admittance spectroscopy of GaAs/InGaP MQWstructures" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• ENOS GOMBIA (Persona)

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• Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology (Rivista)

Editore di

• ELSEVIER SCIENCE SA (Editore)

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