1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• 1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1063/1.2937095 (literal)

Alternative label

• Seravalli L.; Frigeri P.; Trevisi G.; Franchi S. (2008)
  1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates
  in Applied physics letters; American Institute Of Physics (AIP), Melville (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Seravalli L.; Frigeri P.; Trevisi G.; Franchi S. (literal)

Pagina inizio

• 213104-1 (literal)

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• PACS: 78.67.Hc, 78.55.Cr, 81.15.Hi, 68.65.-k (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url

• http://apl.aip.org/resource/1/applab/v92/i21/p213104_s1 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 92 (literal)

Rivista

• Applied physics letters (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Applied Physics Letters, vol. 92 article n. 213104. AIP, 2008. (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#pagineTotali

• 3 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo

• 21 (literal)

Note

• Google Scholar (literal)
• Scopu (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni

• CNR-IMEM Institute, Parco delle Scienze 37a, I-43100 Parma, Italy (literal)

Titolo

• 1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates (literal)

Abstract

• We present design, preparation by molecular beam epitaxy, and characterization by photoluminescence of long-wavelength emitting, strain-engineered quantum dot nanostructures grown on GaAs, with InGaAs confining layers and additional InAlAs barriers embedding InAs dots. Quantum dot strain induced by metamorphic lower confining layers is instrumental to redshift the emission, while a-few-nanometer thick InAlAs barriers allow to significantly increase the activation energy of carriers' thermal escape. This approach results in room temperature emission at 1.59 µm and, therefore, is a viable method to achieve efficient emission in the 1.55 µm window and beyond from quantum dots grown on GaAs substrates. (literal)

Editore

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Prodotto di

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

Autore CNR

• SECONDO FRANCHI (Persona)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale esterno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• GIOVANNA TREVISI (Unità di personale esterno)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

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• Applied physics letters (Rivista)

Editore di

• American Institute Of Physics (AIP) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "1.59 µm room temperature emission from metamorphic InAs/InGaAs quantum dots grown on GaAs substrates" (Insieme di parole chiave)