Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista)

Type

• Prodotto della ricerca (Classe)
• Articolo in rivista (Classe)

Label

• Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi

• 10.1103/PhysRevB.78.085313 (literal)

Alternative label

• Sanguinetti S. a; Guzzi M. a; Grilli E. a; Gurioli M. b; Seravalli L c.; Frigeri P. c; Franchi S. c; Capizzi M. d; Mazzucato S. d; Polimeni A. d (2008)
  Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots
  in Physical review. B, Condensed matter and materials physics; American Physical Society (APS), College Pk (Stati Uniti d'America)
  (literal)

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• Sanguinetti S. a; Guzzi M. a; Grilli E. a; Gurioli M. b; Seravalli L c.; Frigeri P. c; Franchi S. c; Capizzi M. d; Mazzucato S. d; Polimeni A. d (literal)

Pagina inizio

• 085313-1 (literal)

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• PACS:78.67.Hc, 73.21.La, 63.20.kd, (literal)

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• http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.78.085313 (literal)

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• 78 (literal)

Rivista

• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

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• In: Physical Review B, vol. 78 article n. 085313. APS, 2008. (literal)

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• 6 (literal)

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• 8 (literal)

Note

• Scopu (literal)
• Google Scholar (literal)
• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• a L-NESS, Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universitá di Milano Bicocca, Via Cozzi 53, I-20125 Milano, Italy; b L.E.N.S., Dipartimento di Fisica, Universitá di Firenze, Via Sansone 1, I-50019 Sesto Fiorentino, Italy; c CNR-IMEM Institute, Parco delle Scienze 37a, I-43100 Parma, Italy; d Dipartimento di Fisica, Universitá di Roma La Sapienza, I-00185 Roma, Italy (literal)

Titolo

• Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots (literal)

Abstract

• We present a detailed study of the dependence of the spectral characteristics of quasiresonantly excited InAs/GaAs quantum dots on electronic structure, temperature, and hydrogen content. Multiphonon resonances dominate the resonantly excited emission spectra. Such multiphonon resonances are attributed to the competition between two different channels ruling carrier thermalization in an ensemble of quantum dots: decay between polaronic states and efficient nonradiative intradot decay. This supports an effective \"phonon bottleneck\" in quantum dots, which is only partially relaxed by the presence of a fast polaron thermalization channel. (literal)

Editore

• American Physical Society (APS) (Editore)

Prodotto di

• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• STEFANO SANGUINETTI (Unità di personale esterno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• MARIO CAPIZZI (Unità di personale esterno)
• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• ANTONIO POLIMENI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Keywords of "Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)

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Autore CNR di

• LUCA SERAVALLI (Unità di personale interno)
• PAOLA FRIGERI (Unità di personale interno)
• SECONDO FRANCHI (Persona)
• MARIO CAPIZZI (Unità di personale esterno)
• STEFANO SANGUINETTI (Unità di personale esterno)
• ANTONIO POLIMENI (Persona)

Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Preparazione e caratterizzazione di nanostrutture per fotonica (MD.P03.004.001) (Modulo)

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• Physical review. B, Condensed matter and materials physics (Rivista)

Editore di

• American Physical Society (APS) (Editore)

Insieme di parole chiave di

• Keywords of "Effective phonon bottleneck in the carrier thermalization of InAs/GaAs quantum dots" (Insieme di parole chiave)