Detection of the Interlayer at the GaAs-on-InGaP Interface in MOVPE InGaP/GaAs by the Dark Field Method (Articolo in rivista)

Type

• Articolo in rivista (Classe)
• Prodotto della ricerca (Classe)

Label

• Detection of the Interlayer at the GaAs-on-InGaP Interface in MOVPE InGaP/GaAs by the Dark Field Method (Articolo in rivista) (literal)

Anno

• 2008-01-01T00:00:00+01:00 (literal)

Alternative label

• Frigeri C.; Attolini G.; Bosi M.; Germini F.; Pelosi C. (2008)
  Detection of the Interlayer at the GaAs-on-InGaP Interface in MOVPE InGaP/GaAs by the Dark Field Method
  in Journal of materials science. Materials in electronics
  (literal)

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• Frigeri C.; Attolini G.; Bosi M.; Germini F.; Pelosi C. (literal)

Pagina inizio

• S107 (literal)

Pagina fine

• S110 (literal)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume

• 19 (literal)

Rivista

• Journal of materials science. Materials in electronics (Rivista)

Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#note

• In: Journal of Materials Science-Materials in Electronics, vol. 19 pp. S107 - S110. Springer, 2008. (literal)

Note

• ISI Web of Science (WOS) (literal)

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• CNR-IMEM, Parma (literal)

Titolo

• Detection of the Interlayer at the GaAs-on-InGaP Interface in MOVPE InGaP/GaAs by the Dark Field Method (literal)

Abstract

• The article shows the application of (200) dark field TEM to the detection and analysis of the extra interlayer that typically forms at the GaAs-on-InGaP interface in metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE) InGaP/ GaAs heterojunctions. Calculations of the dark field (DF) contrast function in the kinematical approximation show that the interlayer can be either GaAsP or InGaAsP for some values of the composition. Comparison with highresolution X-ray diffraction results allowed to better estimate the composition ranges of the two compounds. The possible mechanisms responsible for the formation of either GaAsP or InGaAsP are briefly discussed. (literal)

Prodotto di

• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)
• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)

Autore CNR

• CLAUDIO PELOSI (Persona)
• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)
• CESARE FRIGERI (Persona)

Insieme di parole chiave

• Parole chiave di "Detection of the Interlayer at the GaAs-on-InGaP Interface in MOVPE InGaP/GaAs by the Dark Field Method" (Insieme di parole chiave)

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Prodotto

• Istituto dei materiali per l'elettronica ed il magnetismo (IMEM) (Istituto)
• Sviluppo, caratterizzazione strutturale e modelling di strutture avanzate per elettronica (MD.P05.002.001) (Modulo)

Autore CNR di

• GIOVANNI ATTOLINI (Unità di personale interno)
• CESARE FRIGERI (Persona)
• CLAUDIO PELOSI (Persona)
• FABRIZIO GERMINI (Unità di personale esterno)
• MATTEO BOSI (Persona)

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• Journal of materials science. Materials in electronics (Rivista)

Insieme di parole chiave di

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