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Boron oxide fully encapsulated CdZnTe crystals grown by the vertical Bridgman technique (Articolo in rivista)
- Type
- Label
- Boron oxide fully encapsulated CdZnTe crystals grown by the vertical Bridgman technique (Articolo in rivista) (literal)
- Anno
- 2007-01-01T00:00:00+01:00 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#doi
- 10.1016/j.jcrysgro.2007.07.012 (literal)
- Alternative label
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#autori
- Zappettini A.; Zha M.; Pavesi M.; Zanotti L. (literal)
- Pagina inizio
- Pagina fine
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#url
- http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024807006562 (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroVolume
- Rivista
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#numeroFascicolo
- Note
- ISI Web of Science (WOS) (literal)
- Http://www.cnr.it/ontology/cnr/pubblicazioni.owl#affiliazioni
- 1. INEM CNR, I-43100 Parma, Italy
2. Univ Parma, Dept Phys, I-43100 Parma, Italy (literal)
- Titolo
- Boron oxide fully encapsulated CdZnTe crystals grown by the vertical Bridgman technique (literal)
- Abstract
- One of the main problems affecting the vertical Bridgman growth of CdZnTe crystals is the crystal-crucible contact. In this work, we show that it is possible to avoid this interaction by inserting a stable boron oxide liquid layer between the crucible and the melt. This layer improves the structural properties of the grown crystals, reducing the etch pit density to the 10(3) cm(-3) range. The possible origins for the formation of a stable boron oxide layer are discussed. (literal)
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